Produkte > BXW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|
| BXW03C75 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| BXW10M1K2H | BRIDGELUX | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 80.6W Gate charge: 29nC Technology: SiC Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -3...20V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 610mΩ Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |