Produkte > BXW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| BXW03C75 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| BXW10M1K2H | BRIDGELUX | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W Polarisation: unipolar Case: TO247-3 Gate-source voltage: -3...20V Gate charge: 29nC On-state resistance: 610mΩ Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 80.6W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BXW120R036H | BRIDGELUX | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 60A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Mounting: THT Kind of channel: enhancement Case: TO247 Drain current: 60A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BXW120R036H4 | BRIDGELUX | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Mounting: THT Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |