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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DI514PIIXYS09+
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DI514SIAIXYS09+
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DI5315-02FDiotec SemiconductorDescription: TVS DIODE 5VWM 21VC DFN1006-3
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DI5315-02FDiotec SemiconductorESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD Diode, DFN1006-3, 150C, 60W, Unidir
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5+0.59 EUR
10+0.42 EUR
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DI5A0N60D1-AQDiotec Semiconductor
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DI5A7N65D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
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DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
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DI5A7N65D1KDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43
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DI5A7N65D1K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
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DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
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1+3.84 EUR
10+2.48 EUR
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1000+1.35 EUR
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DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
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DI5A7N65D1K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DI5M3x18VOGTTFF-M3/18 Metal Spacers
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
323+0.22 EUR
341+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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