Produkte > GS6

auf Bestellung 20224 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

313+	0.23 EUR
385+	0.19 EUR
468+	0.15 EUR
758+	0.094 EUR
794+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-16

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 10÷16mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Mechanical mounting: for cable
Electrical mounting: crimped
Wire cross-section: 10...16mm²
Contact plating: tinned
Hole for screw: M6
Ferrule variant: non-insulated
Type of tip: ring
Related items: WC-0510DIN
Ring inside diameter: 6.5mm
Wire size: 6AWG
Contact material: copper alloy

auf Bestellung 4855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.3 EUR
266+	0.27 EUR
278+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR
317+	0.23 EUR
511+	0.14 EUR
544+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-16

JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS

Ring Tongue Terminal 25.5mm Box

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-16

Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - GS6-16 - Ringkabelschuh, M6, 1/4", 6 AWG, 16 mm², GS
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 16mm²
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Ohne Isolierung
Bolzengröße - metrisch: M6
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 6AWG
Bolzengröße - imperial: 1/4"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Isolatorfarbe: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: GS
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-16

auf Bestellung 4855 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

239+	0.3 EUR
266+	0.27 EUR
278+	0.26 EUR
290+	0.25 EUR
317+	0.23 EUR
511+	0.14 EUR
544+	0.13 EUR

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GS6-16

Ring Tongue Terminal 25.5mm Box

auf Bestellung 425 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-16

Ring Tongue Terminal 25.5mm Box

auf Bestellung 1318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

588+	0.25 EUR
606+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 588

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GS6-16 (SN3) FW-BRAND 41046

DIN46234 ring terminal 16� M6 WEITKOWITZ brand

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GS6-2.5

JST Commercial

Terminals NON-INSULATED TERMINAL (RING/SQUARE)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.27 EUR
13+	0.22 EUR
25+	0.18 EUR
100+	0.16 EUR
250+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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GS6-2.5

JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 1÷2.5mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Mechanical mounting: for cable
Electrical mounting: crimped
Wire cross-section: 1...2.5mm²
Contact plating: tinned
Hole for screw: M6
Ferrule variant: non-insulated
Type of tip: ring
Related items: WC-0510DIN
Ring inside diameter: 6.5mm
Wire size: 16AWG...14AWG
Contact material: copper alloy

auf Bestellung 17721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.11 EUR
834+	0.086 EUR
1516+	0.047 EUR
1603+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 629

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GS6-2.5

Description: JST / JAPAN SOLDERLESS TERMINALS - GS6-2.5 - Ringkabelschuh, M6, 1/4", 14 AWG, 2.5 mm², GS
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 2.5mm²
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Ohne Isolierung
Bolzengröße - metrisch: M6
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Bolzengröße - imperial: 1/4"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Isolatorfarbe: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: GS
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS6-2.5

auf Bestellung 17721 Stücke:

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629+	0.11 EUR
834+	0.086 EUR
1516+	0.047 EUR
1603+	0.045 EUR

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GS6-25

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 16÷25mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Contact plating: tinned
Wire cross-section: 16...25mm²
Ring inside diameter: 6.5mm
Wire size: 4AWG
Hole for screw: M6
Related items: WC-0510DIN
Type of tip: ring
Contact material: copper alloy
Electrical mounting: crimped
Ferrule variant: non-insulated
Mechanical mounting: for cable

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	0.64 EUR
130+	0.55 EUR
156+	0.46 EUR
257+	0.28 EUR
271+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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GS6-25

auf Bestellung 478 Stücke:

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112+	0.64 EUR
130+	0.55 EUR
156+	0.46 EUR
257+	0.28 EUR
271+	0.26 EUR

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GS6-25

Ring Tongue Terminal 31mm Box

Produkt ist nicht verfügbar

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GS6-25 (SN3) FW-BRAND 41051

DIN46234 ring terminal 25� M6 WEITKOWITZ brand

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GS6-35

Ring Tongue Terminal 33.5mm Box

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

241+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 241

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-35

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 25÷35mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Mechanical mounting: for cable
Electrical mounting: crimped
Wire cross-section: 25...35mm²
Contact plating: tinned
Hole for screw: M6
Ferrule variant: non-insulated
Type of tip: ring
Related items: WC-0510DIN
Ring inside diameter: 6.5mm
Wire size: 2AWG
Contact material: copper alloy
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 847 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

85+	0.85 EUR
99+	0.73 EUR
118+	0.61 EUR
195+	0.37 EUR
206+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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GS6-35

auf Bestellung 847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	0.85 EUR
99+	0.73 EUR
118+	0.61 EUR
195+	0.37 EUR
206+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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GS6-50

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 35÷50mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Mechanical mounting: for cable
Electrical mounting: crimped
Wire cross-section: 35...50mm²
Contact plating: tinned
Hole for screw: M6
Ferrule variant: non-insulated
Type of tip: ring
Related items: WC-0510DIN
Ring inside diameter: 65mm
Wire size: 1/0AWG
Contact material: copper alloy

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
63+	1.14 EUR
76+	0.94 EUR
125+	0.57 EUR
132+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-50

Ring Tongue Terminal 43mm Box

auf Bestellung 148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-50

auf Bestellung 336 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
63+	1.14 EUR
76+	0.94 EUR
125+	0.57 EUR
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GS6-6

Category: Non-insulated terminals
Description: Tip: ring; M6; 2.5÷6mm2; crimped; for cable; non-insulated; tinned
Mechanical mounting: for cable
Electrical mounting: crimped
Wire cross-section: 2.5...6mm²
Contact plating: tinned
Hole for screw: M6
Ferrule variant: non-insulated
Type of tip: ring
Related items: WC-0510DIN
Ring inside diameter: 6.5mm
Wire size: 12AWG...10AWG
Contact material: copper alloy

auf Bestellung 10347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	0.17 EUR
506+	0.14 EUR
610+	0.12 EUR
981+	0.073 EUR
1042+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 432

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-6

auf Bestellung 10347 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

432+	0.17 EUR
506+	0.14 EUR
610+	0.12 EUR
981+	0.073 EUR
1042+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 432

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-6

Ring Tongue Terminal 21.5mm Box

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-D3311S55

SICK, Inc.

Description: PHOTOE PROX SWITCH
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP - Dark-ON/Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 500µs
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (650nm)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-D4311S63

SICK, Inc.

Description: PHOTOE PROX SWITCH
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 55°C
Output Configuration: Light-On/Dark-On
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector, M8
Light Source: Red (650nm)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-D4311S66

SICK

Description: SICK - GS6-D4311S66 - Optoelektronischer Sensor, 10m, Strom, Einweg, 10 bis 30V DC, 4-poliger M8-Stecker, Produktreihe G6
tariffCode: 90314990
Erfassungsreichweite, max.: 10m
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Messmethode: Einweg
Anschlussmethode: M8-Steckverbinder, 4-polig
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: Strom
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: G6 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6-D7311S72

SICK, Inc.

Description: PHOTOE PROX SWITCH
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 0" ~ 590.551" (0m ~ 15m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -25°C ~ 55°C
Output Configuration: Light-On/Dark-On
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 500µs
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector
Light Source: Red (650nm)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-15X15

Category: Knobs for shaft potentiometers
Description: Knob; with pointer; aluminium; Øshaft: 6.35mm; Ø15x15mm; silver
Mounting: screw fastening
Material: aluminium
Shaft diameter: 6.35mm
Kind of knob: with pointer
Knob dimensions: Ø15x15mm
Shaft surface: smooth
Inside hole diameter: 6.4mm
Type of accessories for potentiometer: knob
Colour: silver

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	2.46 EUR
38+	1.9 EUR
40+	1.8 EUR
400+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-15X15

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	2.46 EUR
38+	1.9 EUR
40+	1.8 EUR
400+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-20X15

GS6.4-20X15 Knobs for shaft potentiometers

auf Bestellung 1641 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.88 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 19

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-22X19

GS6.4-22X19 Knobs for shaft potentiometers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-25X15

GS6.4-25X15 Knobs for shaft potentiometers

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.58 EUR
29+	2.5 EUR
31+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-30X15

Category: Knobs for shaft potentiometers
Description: Knob; with pointer; aluminium; Øshaft: 6.35mm; Ø30x15mm; silver
Material: aluminium
Mounting: screw fastening
Shaft diameter: 6.35mm
Kind of knob: with pointer
Knob dimensions: Ø30x15mm
Shaft surface: smooth
Inside hole diameter: 6.4mm
Type of accessories for potentiometer: knob
Colour: silver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.09 EUR
31+	2.32 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-30X15

auf Bestellung 2055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.09 EUR
31+	2.32 EUR
32+	2.3 EUR
33+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.4-30X15
Produktcode: 173270

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.90F130QP

E-Switch

Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.03A 12V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 50VDC
Actuator Type: Standard
Operating Force: 130gf
Outline: 7.20mm x 7.20mm
Actuator Height off PCB, Vertical: 6.90mm
Actuator Orientation: Top Actuated

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.90F300QP

E-Switch

Tactile Switches SEALED 6.90 TACT SW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.90F300QP

E-Switch

Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.03A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Illumination: Non-Illuminated
Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 50VDC
Actuator Type: Standard
Operating Force: 300gf
Outline: 7.20mm x 7.20mm
Actuator Height off PCB, Vertical: 6.90mm
Actuator Orientation: Top Actuated
Part Status: Active

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
25+	1.53 EUR
100+	1.33 EUR
250+	1.21 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6.90F300QP

E-SWITCH

GS6.90F300QP Microswitches TACT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS60

BESSEY

GS60 Vices and Clamps

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS60

Pulse Electronics Network

D-GS60 Soldering irons and guns

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
3+	23.84 EUR
20+	18.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6001-TR

Gainsil

R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6001T-E/OT, MCP6001T-I/OT GS6001-TR GAINSIL UIMCP6001ti/ot GAI
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6002-SR

Gainsil

Dual R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6002-I/SN, MCP6002T-I/SN, MCP6002-E/SN, MCP6002T-E/SN GS6002-SR GAINSIL UIMCP6002i/sn GAI
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6004-SR

Gainsil

Quad R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.8V/us, Voff 3.5mV, 1.8?6V, -40?125°C Replacement for: MCP6004-I/SL, MCP6004T-I/SL, MCP6004-E/SL, MCP6004T-E/SL GS6004-SR GAINSIL UIMCP6004i/sl GAI
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6014 LF

Description: MDL 1G 2 PORT 4PAIR POE 60W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6014RM LF

Pulse Electronics Network

Description: MDL 1G DUAL PORT 4PAIR POE 60W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6014RM LF

Pulse

SMD-1G-Dual port-4Pair PoE 60W- -40 to +85

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6014SM LF

Pulse Electronics Network

Description: MDL 1G DUAL PORT 4PAIR POE 60W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INE3

Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INE3

Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INE3

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 16QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Cable Equalization
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Part Status: Active

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	49.26 EUR
10+	35.87 EUR
25+	32.38 EUR
80+	31.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INE3

Equalisers QFN-16 pin

auf Bestellung 1245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	49.14 EUR
10+	35.8 EUR
25+	32.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INE3

Adaptive Cable Equalizer 16-Pin QFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3

Adaptive Cable Equalizer Serial Interface

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3

Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Cable Equalization
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	31.32 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3

Equalisers QFN-16 pin Taped (250/reel)

auf Bestellung 427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	50.34 EUR
10+	39.53 EUR
25+	36.15 EUR
100+	32.38 EUR
250+	32.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3

Adaptive Cable Equalizer Serial Interface

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3Z

Adaptive Cable Equalizer Serial Interface

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3Z

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6042-INTE3Z

Equalisers QFN-16 Pin Taped (2500/reel)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6080-INE3

Description: IC DRIVER 1/0 16QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V
Number of Drivers/Receivers: 1/0
Data Rate: 5.94Gbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)

auf Bestellung 916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.2 EUR
10+	17.35 EUR
25+	16.54 EUR
80+	14.37 EUR
230+	13.72 EUR
490+	12.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6080-INE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD

auf Bestellung 939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.13 EUR
10+	18.52 EUR
25+	15.63 EUR
100+	14.87 EUR
250+	14.85 EUR
490+	12.74 EUR

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GS6080-INE3

Cable Driver Serial Interface QFN

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GS6080-INE3

Cable Driver Serial Interface QFN

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS6080-INTE3

SEMTECH

Description: SEMTECH - GS6080-INTE3 - 6G UHD-SDI Multi-Rate CD
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS6080-INTE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD

auf Bestellung 1799 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.88 EUR
10+	16.17 EUR
25+	15.17 EUR
100+	13.46 EUR
250+	13.02 EUR
500+	11.88 EUR
1000+	10.58 EUR

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GS6080-INTE3

Cable Driver Serial Interface QFN T/R

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GS6080-INTE3

Description: IC DRIVER 1/0 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V
Number of Drivers/Receivers: 1/0
Data Rate: 5.94Gbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.62 EUR
10+	17.73 EUR
25+	16.91 EUR
100+	14.68 EUR

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GS6080-INTE3

Description: IC DRIVER 1/0 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V, 3.3V
Number of Drivers/Receivers: 1/0
Data Rate: 5.94Gbps
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	14.02 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS6080-INTE3D

Description: IC CBL DVR 6G/3G/HD/SD/ASI 16QFN

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GS6080-INTE3D

Video ICs 6G/3G/HD/SD/ASI Cable Driver

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GS6080-INTE3D

6G UHD-SDI/3G/HD/SD Cable Driver

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GS6080-INTE3Z

Video ICs 6G UHD-SDI Multi-Rate CD

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GS6080-INTE3Z

Description: IC CBL DVR 6G/3G/HD/SD/ASI 16QFN

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GS6081-INE3

Description: IC VIDEO CBL DVR 6G CD DL 16QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Professional Video
Standards: SMPTE
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Control Interface: Serial

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.41 EUR
10+	23.36 EUR
25+	22.39 EUR
80+	19.73 EUR
230+	18.76 EUR
490+	17.55 EUR
980+	16.1 EUR

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GS6081-INE3

Cable Driver Serial Interface QFN

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GS6081-INE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.65 EUR
10+	20.82 EUR
25+	19.96 EUR
50+	17.58 EUR
100+	16.72 EUR
250+	15.65 EUR
490+	14.34 EUR

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GS6081-INTE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD

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GS6081-INTE3

Description: IC VIDEO 6G UHD-SDI MULT 16QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Professional Video
Standards: SMPTE
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Control Interface: Serial

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GS6081-INTE3Z

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate Dual-Output CD

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GS6081-INTE3Z

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GS60A05-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 5V 6A 30W

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GS60A05-P1J
Produktcode: 124791

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Netzteile und Ladegeräte > Wechselrichter (Blocks DC_AC Wandler)

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GS60A05-P1J

Desktop AC Adapters 30W 5V 6A

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GS60A07-P1J

Desktop AC Adapters 45W 7.5V 6A

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GS60A07-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 7.5V 6A 45W

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GS60A07-P1J(Netzteil)
Produktcode: 45392

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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GS60A09-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 9V 6A 54W

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GS60A09-P1J
Produktcode: 147956

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MeanWell

Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)
Beschreibung: AC/DC адаптер настільний
Eingangsspannung: 90...264 VAC
Ausgangsspannung: 9 V
Ausgangsstrom: 6 А
Leistung: 60 W
Abmessungen, mm: 125x50x31,5 mm

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GS60A09-P1J

Desktop AC Adapters 54W 9V 6A

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GS60A12-P1J
Produktcode: 139378

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Netzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)

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GS60A12-P1J

Desktop AC Adapters 60W 12V 5A

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GS60A12-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 12V 5A 60W

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GS60A15-P1J

Desktop AC Adapters 60W 15V 4A

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GS60A15-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 15V 4A 60W

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GS60A15-P1J
Produktcode: 52999

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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Reihe, Typ, Gruppe: Gehause

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GS60A18-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 18V 3.33A 60W

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GS60A18-P1J

Desktop AC Adapters 60W 18V 3.33A

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GS60A24-P1J

Desktop AC Adapters 60W 24V 2.5A

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GS60A24-P1J
Produktcode: 61473

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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GS60A24-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.5A 60W

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GS60A24-P1M

Desktop AC Adapters

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GS60A48-P1J

Plug-In Adapter Single-OUT 48V 1.25A 60W

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GS60BL4Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Blue; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	364.78 EUR

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GS60GL4Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Green; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	364.78 EUR

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GS60GL4Q

BANNER ENGINEERING

Description: BANNER ENGINEERING - GS60GL4Q - Punktstrahler, LED, Grün, 4°-Linse, 60mm Ø, 12-30V DC, 4-poliger M12-Flachsteckanschluss, GS60
tariffCode: 94052190
Lampensockel: -
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Nennleistung: -
Länge: -
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: -
Linsendurchmesser: 60mm
Versorgungsspannung: 30VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Lichtqelle: LED
usEccn: EAR99
Produktpalette: GS60 Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS60K

BESSEY

GS60K Vices and Clamps

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GS60PRGBWL9Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Pro Multicolor Guide Spotlight: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: RGBW; 9 Degree Clear Lens; 5-pin M12 Integral QD

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	396.56 EUR

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GS60RL4Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: Red; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	364.78 EUR

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GS60UV395L8Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Ultraviolet (UV) 395 nm; 8 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD

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GS60WL4Q

LED Panel Mount Indicators GS60 Guide Light: 60 mm Spot; 12-30 V dc; IP66/67; Color: White; 4 Degree Clear Lens; 4-pin M12 Integral QD

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	364.78 EUR

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GS61004B-B

GS61004B-B

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.36 EUR

Mindestbestellmenge: 23

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GS61004B-E01-MR

MOSFET 100V 45A E-Mode GaN

auf Bestellung 1287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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GS61004B-E01-MR

GS61004B-E01-MR

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GS61004B-EVBCD

100V GaN E-HEMT Full Bridge Evaluation Board

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GS61004B-EVBCD

Other Development Tools Class D Full-Bridge GS61004B GaN E-mode evaluation board

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	689.67 EUR
10+	663.73 EUR
25+	643.03 EUR
50+	641.84 EUR

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GS61004B-MR

100V enhancement mode GaN transistor

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GS61004B-MR

Description: GS61004B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	4.06 EUR
500+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS61004B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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GS61004B-MR

GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 7384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	6.11 EUR
25+	5.76 EUR
100+	5.16 EUR
250+	4.36 EUR
1000+	3.73 EUR
2500+	3.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61004B-MR

Description: GS61004B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

auf Bestellung 712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.57 EUR
10+	5.72 EUR
100+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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GS61004B-TR

Description: GS61004B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61004B-TR

100V enhancement mode GaN transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61004B-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	3.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61004B-TR

GaN FETs 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 1393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.66 EUR
10+	6.44 EUR
25+	6.07 EUR
100+	5.19 EUR
250+	4.91 EUR
500+	4.63 EUR
1000+	4.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61004BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61004BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61008D2

E2V Aerospace and Defense(Teledyne)

GS61008D2

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GS61008P

100V enhancement modeGaN transistor

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GS61008P -EVBBK

Power Management IC Development Tools GS61008P Synchronous Buck Demo Board

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GS61008P-B

GS61008P-B

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.28 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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GS61008P-E05-MR
Produktcode: 147920

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Transistoren > MOSFET N-CH

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GS61008P-E05-MR

MOSFET 100V 80A E-Mode GaN

Produkt ist nicht verfügbar

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GS61008P-E05-MR

MOSFET 100V 80A E-Mode GaN

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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GS61008P-EVBHF

100V GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Kit

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GS61008P-EVBHF

Power Management IC Development Tools 100V, 7 mOhm, GaN High Power Half Bridge Evaluation Board

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	500.6 EUR
5+	483.35 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-EVBHF

100V GaN E-HEMT Half Bridge Evaluation Kit

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	469.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	13.26 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-MR

GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 2380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.61 EUR
10+	12.51 EUR
25+	11.35 EUR
100+	10.91 EUR
250+	9.26 EUR
500+	9.19 EUR
1000+	8.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-MR

Description: GS61008P-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 1110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.45 EUR
10+	9.91 EUR
100+	9.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	13.26 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS61008P-MR

Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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GS61008P-MR

Description: GS61008P-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	7.98 EUR
500+	7.57 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008P-TR

Description: GS61008P-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

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GS61008P-TR

Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor

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GS61008P-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R

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GS61008P-TR

GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 9713 Stücke:

Lieferzeit 178-182 Tag (e)

1+	14.31 EUR
10+	12.25 EUR
25+	11.12 EUR
100+	10.21 EUR
250+	9.61 EUR
500+	9.01 EUR
1000+	8.11 EUR

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GS61008PMRXUSA1

Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61008PMRXUSA1

Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61008T-E01-MR

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GS61008T-E01-MR

GS61008T-E01-MR

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GS61008T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.5 EUR
17+	8.21 EUR
50+	7.39 EUR
100+	7.1 EUR
200+	6.79 EUR
500+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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GS61008T-MR

Description: GS61008T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.22 EUR
10+	10.64 EUR
100+	9.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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GS61008T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	12.79 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS61008T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R

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GS61008T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	7.4 EUR
500+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS61008T-MR

Description: GS61008T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V

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GS61008T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	7.4 EUR
500+	7.03 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS61008T-MR

GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 3112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.7 EUR
10+	12.58 EUR
25+	11.42 EUR
100+	10.96 EUR
250+	9.31 EUR
500+	9.24 EUR
1000+	8.32 EUR

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GS61008T-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A T/R

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GS61008T-TR

GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 4051 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.68 EUR
10+	12.57 EUR
25+	11.4 EUR
100+	10.49 EUR
250+	9.86 EUR
500+	9.24 EUR
1000+	8.32 EUR

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GS61008T-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	8.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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GS61008T-TR

Description: GS61008T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V

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GS61008TMRXUSA1

Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61008TMRXUSA1

Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS61008TTRXUMA1

Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS61008TTRXUMA1

Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS6103B2A

N/A

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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GS6140-INE3

Semtech Corporation

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GS6140-INE3

Description: 6G/3G/HD/SD/ASI LONG REACH EQUAL

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GS6140-INTE3

Description: IC REDRIVER

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GS6140-INTE3

Semtech Corporation

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GS6140-INTE3Z

Semtech Corporation

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GS6140-INTE3Z

Description: IC REDRIVER

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GS6150-INE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN

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GS6150-INE3

Video ICs QFN 48L/0.4 6mmX6mm

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GS6150-INTE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN

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GS6150-INTE3

Video ICs QFN-48 Pin Taped (250/reel)

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GS6150-INTE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN

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GS6150-INTE3Z

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN

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GS6150-INTE3Z

Video ICs QFN-48 Pin Taped (2500/reel)

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GS6151-INE3

CDR 1.8V 32-Pin QFN EP Tray

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS6151-INE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN

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GS6151-INE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker

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GS6151-INTE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Reclocker
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V
Applications: Professional Video
Standards: SMPTE
Supplier Device Package: 32-QFN (4x4)
Part Status: Active
Control Interface: GPIO, SPI

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GS6151-INTE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker

auf Bestellung 2469 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	51.06 EUR
10+	37.33 EUR
25+	34.87 EUR

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GS6151-INTE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Reclocker
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V
Applications: Professional Video
Standards: SMPTE
Supplier Device Package: 32-QFN (4x4)
Part Status: Active
Control Interface: GPIO, SPI

auf Bestellung 173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43.05 EUR
10+	39.71 EUR
25+	37.92 EUR
100+	33.91 EUR

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GS6151-INTE3Z

Description: IC VIDEO RECLOCKER 32QFN

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GS6151-INTE3Z

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 2:1 Reclocker

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GS6152-INE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker

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GS6152-INE3

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Reclocker
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.89V
Applications: Professional Video
Standards: DVB-ASI, MADI, SMPTE
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Control Interface: GPIO, SPI

auf Bestellung 490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	48.45 EUR
10+	36.1 EUR
25+	32.93 EUR
80+	29.89 EUR
230+	28.18 EUR

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GS6152-INTE3

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker

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GS6152-INTE3

Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6152-INTE3

Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN

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GS6152-INTE3

Description: IC RECLOCKER 6G UHD-SDI 48QFN

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6152-INTE3Z

Description: IC VIDEO RECLOCKER 48QFN

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GS6152-INTE3Z

Video ICs 6G UHD-SDI Multi- Rate 4:1 Reclocker

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GS6203H

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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GS6250-120

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 12IN LG

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	99.26 EUR
5+	89.34 EUR
10+	85.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6250-180

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 18IN LG

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	148.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6250-240

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 24IN LG

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	165.81 EUR
5+	149.23 EUR
10+	142.61 EUR
25+	137.63 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6250-360

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 36IN LG

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	189.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6250-480

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 48IN LG

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	309.55 EUR
5+	278.58 EUR
10+	266.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6250-600

Description: SHAFT, 0.6250 DIA. X 60IN LG

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	428.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6267S

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6267S

97+ SOP16P

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6267S

09+ SOP16

auf Bestellung 1031 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6268SN

2000

auf Bestellung 17965 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6268SN

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6269SN

auf Bestellung 817 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6269SN

1999

auf Bestellung 2495 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6333UR1903

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6333UR19D3

VISHAY

09+

auf Bestellung 72018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS6333UR19D3

VISHAY

06+

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS64/20

Sierra Wireless S.A.

GSM/GPRS Radio Device

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS65011-EVBEZ

Power Management IC Development Tools EZDrive Open Loop Boost Evaluation Board

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	309.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS65011-EVBEZ

Open Loop Boost Evaluation Board

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	252.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS651

D-GS651 Soldering tips

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GS6521411

SwitchEasy

Description: WALLCHARGERPOWERBUDDYPROGAN65WBL
Packaging: Box
For Use With/Related Products: iPad, MacBook
Accessory Type: Power Adapter
Specifications: Black
Part Status: Active

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GS653

D-GS653 Soldering tips

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GS656

D-GS656 Soldering tips

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GS658

D-GS658 Soldering tips

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GS65R060Q4A

Goford Semiconductor

Description: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Packaging: Tube

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.42 EUR
50+	12.84 EUR
100+	10.71 EUR
500+	9.85 EUR
1000+	8.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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GS663

Category: Soldering tips
Description: Tip; bent chisel; 6mm; for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Tip shape: bent chisel
Tip dimensions: 6mm
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Related items: D-GS60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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GS663

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GS66502B-B

GAN POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.82 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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GS66502B-E01-MR

GS66502B-E01-MR

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GS66502B-E01-MR

MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

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GS66502B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	11.34 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66502B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66502B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	7.25 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66502B-MR

Description: GS66502B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.76 EUR
10+	16.62 EUR
100+	13.61 EUR

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GS66502B-MR

GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

auf Bestellung 2033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.01 EUR
10+	16.28 EUR
100+	14.63 EUR
500+	12.09 EUR
1000+	11.77 EUR

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GS66502B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	7.25 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66502B-MR

Description: GS66502B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66502B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66502B-TR

GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.01 EUR
10+	16.28 EUR
100+	13.57 EUR
500+	12.11 EUR
1000+	10.28 EUR

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GS66502B-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66502B-TR

Description: GS66502B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66502BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66502BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66504B-B

GS66504B-B

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.36 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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GS66504B-E01-MR

GS66504B-E01-MR

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.76 EUR
16+	9 EUR
25+	8.45 EUR
50+	7.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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GS66504B-E01-MR

GS66504B-E01-MR

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GS66504B-E01-MR

GS66504B-E01-MR

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.73 EUR
16+	9 EUR
25+	8.42 EUR
50+	7.76 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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GS66504B-E01-MR

MOSFET No longer available. Order GS66504B-MR, discount on ship and debit

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GS66504B-EVBDB

Power Management IC Development Tools GS66504B Half Bridge Daughter Board

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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GS66504B-MR

Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.89 EUR
10+	18.26 EUR
100+	15.1 EUR

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GS66504B-MR

GAN POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	17.68 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66504B-MR

GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 5247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.8 EUR
10+	19.18 EUR
100+	16.58 EUR
500+	16.56 EUR

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GS66504B-MR

Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	14.48 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66504B-MR

GAN POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	17.68 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66504B-MR

GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 6850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.7 EUR
10+	27.91 EUR
25+	27.17 EUR
50+	25.66 EUR
100+	25.63 EUR
250+	21.75 EUR
1000+	20.06 EUR

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GS66504B-MR

Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66504B-TR

GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 3111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.7 EUR
10+	27.91 EUR
25+	27.17 EUR
50+	25.66 EUR
100+	24.15 EUR
250+	23.41 EUR
500+	21.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504B-TR

Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66504B-TR

GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 2991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.7 EUR
10+	27.91 EUR
25+	27.17 EUR
50+	25.66 EUR
100+	24.15 EUR
250+	23.41 EUR
500+	21.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504B-TR

Description: GS66504B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66504BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66504D2-E01-TR

GS66504D2-E01-TR

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66506T-B

GAN POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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GS66506T-E01-MR

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN

auf Bestellung 961 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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GS66506T-E01-MR

GS66506T-E01-MR

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-MR

GAN POWER TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-MR

Description: GS66506T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-MR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-MR

GaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 1470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	36.82 EUR
10+	32.45 EUR
25+	31.59 EUR
50+	29.81 EUR
100+	29.78 EUR
250+	25.31 EUR
1000+	23.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-MR

Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.09 EUR
10+	21.98 EUR
100+	19.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-TR

GaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 1934 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.83 EUR
10+	22.28 EUR
100+	20.38 EUR
3000+	18.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-TR

Description: GS66506T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506T-TR

Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506TTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.5nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66506TTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-B

GS66508B-B

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	24.71 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-E01-MR

GS66508B-E01-MR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-E01-MR

MOSFET No longer available. Order GS66508B-MR

auf Bestellung 524 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-EVBDB

GaN E-HEMT 650V/30A, 50m ohm Evaluation Board

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-EVBDB

Power Management IC Development Tools GS66508B Half Bridge Daughter Board

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-EVBDB1

Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Digital Driver Half Bridge Daughter Board feauturing the Analog Devices ADuM4121, a high voltage, isolated gate driver

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 137-141 Tag (e)

1+	333.73 EUR
5+	322.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-EVBDB1

GAN POWER TRANSISTOR TEST/EVALUATION PRODUCT

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	252.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-EVBDB1

GS66508B-EVBDB1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66508B-MR

Description: GS66508B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	22.46 EUR

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GS66508B-MR

Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor

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GS66508B-MR

Description: GS66508B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V

auf Bestellung 352 Stücke:

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1+	35.83 EUR
10+	26.34 EUR
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GS66508B-MR
Produktcode: 169559

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GS66508B-MR

GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

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1+	47.24 EUR
10+	41.98 EUR
25+	39.16 EUR
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100+	36.91 EUR
250+	31.57 EUR
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GS66508B-MR

Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor

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GS66508B-TR

Description: GS66508B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V

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GS66508B-TR

GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 896 Stücke:

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1+	47.24 EUR
10+	41.98 EUR
25+	39.16 EUR
50+	37.95 EUR
100+	36.71 EUR
250+	34.28 EUR
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GS66508B-TR

Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor

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GS66508BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66508BTRXUMA1

Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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GS66508P-E03-TY

MOSFET 650V, 30A, E-Mode Preproduction Units

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GS66508P-E04-TY

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units

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GS66508P-E05-MR

MOSFET Discontinued. NRND. Use GS66508B-MR instead

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GS66508P-E05-MR

GS66508P-E05-MR

auf Bestellung 226 Stücke:

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GS66508P-E05-MR

GS66508P-E05-MR

auf Bestellung 226 Stücke:

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GS66508P-E05-TY

MOSFET 650V 30A E-Mode GaN Preproduction Units

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GS66508P-MR

Bottom-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

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GS66508T-B

GS66508T-B

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GS66508T-E02-MR
Produktcode: 174216

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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GS66508T-E02-MR

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GS66508T-E02-MR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

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GS66508T-EVBDB

GS66508T-EVBDB

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GS66508T-EVBDB

Power Management IC Development Tools GS66508T Half Bridge Daughter Board

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GS66508T-EVBDB2

Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler

auf Bestellung 46 Stücke:

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1+	299.22 EUR

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GS66508T-EVBDB2

650V GaN E-HEMT Evaluation Board

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GS66508T-MR

GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 2234 Stücke:

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1+	35.24 EUR
10+	28.83 EUR
100+	25.47 EUR
500+	25.45 EUR

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GS66508T-MR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

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GS66508T-MR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

auf Bestellung 250 Stücke:

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250+	24.71 EUR

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GS66508T-MR

Description: GS66508T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V

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GS66508T-TR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

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GS66508T-TR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

auf Bestellung 36000 Stücke:

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3000+	12.43 EUR

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GS66508T-TR

Description: GS66508T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V

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GS66508T-TR

GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 2371 Stücke:

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1+	47.24 EUR
10+	41.98 EUR
25+	39.16 EUR
50+	37.95 EUR
100+	36.71 EUR
250+	34.28 EUR
500+	31.35 EUR

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GS66508T-TR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	12.43 EUR

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GS66508TMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

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GS66508TMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66516B-B

GS66516B-B

auf Bestellung 90 Stücke:

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3+	59.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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GS66516B-E01-MR

MOSFET 650 V E-MODE GAN TRANSITOR

auf Bestellung 591 Stücke:

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GS66516B-E01-MR

GS66516B-E01-MR

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GS66516B-E01-MR

GS66516B-E01-MR

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	58.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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GS66516B-MR

Description: GS66516B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66516B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	53.01 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66516B-MR

Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor

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GS66516B-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	53.01 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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GS66516B-MR

Description: GS66516B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516B-MR

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 1588 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	66.33 EUR
10+	57.62 EUR
100+	52.2 EUR

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GS66516B-TR

Description: GS66516B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66516B-TR

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	66.33 EUR
10+	57.62 EUR
100+	50.42 EUR
2000+	50.41 EUR

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GS66516B-TR

Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

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GS66516BMRXUSA1

GS66516BMRXUSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66516BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66516BMRXUSA1

GS66516BMRXUSA1

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	64.29 EUR
10+	55.03 EUR
25+	49.77 EUR
50+	43.86 EUR
100+	40.37 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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GS66516BMRXUSA1

Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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GS66516BTRXUMA1

GS66516BTRXUMA1

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GS66516T-B

GS66516T-B

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	53.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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GS66516T-E02-MR

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516T-E02-MR

Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516T-EVBDB

650V GaN E-HEMT Evaluation Board

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GS66516T-EVBDB

650V GaN E-HEMT Evaluation Board

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	485.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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GS66516T-EVBDB

Power Management IC Development Tools GS66516T Half Bridge Daughter Board

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516T-EVBDB2

Power Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2.5 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	400.49 EUR
5+	386.67 EUR

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GS66516T-EVBDB2

650V GaN E-HEMT Evaluation Board

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GS66516T-MR

Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516T-MR

Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

auf Bestellung 1465 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	63.31 EUR
10+	48.49 EUR
100+	42.22 EUR

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GS66516T-MR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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GS66516T-MR

Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	49.92 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GS66516T-MR

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

auf Bestellung 3700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	63.59 EUR
10+	55.23 EUR
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GS66516T-TR

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R

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GS66516T-TR

GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled

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GS66516T-TR

Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

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GS66516T-TR

Description: GS66516T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V

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GS66516TMRXUSA1

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