Produkte > IGZ
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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IGZ100N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGZ100N65 - DISCRETE IGBT WITHOU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ100N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IGZ100N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGZ100N65H5XKSA1 - IGBT, 161 A, 1.65 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOPTM 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 161A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ100N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGZ100N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 161 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 536 W | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGZ100N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 161A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ100N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 161 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 536 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ100N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IGZ100N65H5XKSA1 THT IGBT transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 136W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 27ns Turn-off time: 271ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 136W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 27ns Turn-off time: 271ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ50N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 273 W | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGZ75N65H5 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ75N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IGZ75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 119 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Gate charge: 166nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 37ns Turn-off time: 415ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 119A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IGZ75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGZ75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 197W Gate charge: 166nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 37ns Turn-off time: 415ns | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |