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IGZ100N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGZ100N65 - DISCRETE IGBT WITHOU
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IGZ100N65H5Infineon technologies
auf Bestellung 32 Stücke:
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IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 161A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns
Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 161 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 536 W
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IGZ100N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIGZ100N65H5XKSA1 THT IGBT transistors
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IGZ100N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IGZ100N65H5XKSA1 - IGBT, 161 A, 1.65 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 161A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOPTM 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 233 Stücke:
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IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.13 EUR
25+6.83 EUR
100+6.55 EUR
240+6.28 EUR
1200+6.25 EUR
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IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns
Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 161 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 536 W
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
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IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.86 EUR
30+5.58 EUR
120+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IGZ50N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGZ50N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
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IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IGZ75N65H5Infineon technologies
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IGZ75N65H5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
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IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 119A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 59 Stücke:
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1+11.58 EUR
10+8.64 EUR
100+5.17 EUR
480+5.16 EUR
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IGZ75N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 166nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
Power dissipation: 197W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
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IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
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IGZ75N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 166nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
Power dissipation: 197W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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