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NJT4030PT1G

Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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NJT4030PT1G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 15793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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NJT4030PT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4030PT1G

Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 9891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.12 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.32 EUR
2000+	0.29 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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NJT4030PT1G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

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1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR
3000+	0.32 EUR
5000+	0.30 EUR
7000+	0.28 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4030PT1G

Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1025 Stücke:

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NJT4030PT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4030PT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4030PT3G

Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR

auf Bestellung 32145 Stücke:

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4+	0.74 EUR
10+	0.50 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.32 EUR
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4000+	0.26 EUR
8000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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NJT4030PT3G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 100276 Stücke:

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14+	1.32 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR

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NJT4030PT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4030PT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4030PT3G

Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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20000+	0.25 EUR
28000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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1000+	0.35 EUR
2000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4031NT1G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	0.47 EUR
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3000+	0.41 EUR
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7000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.50 EUR
5000+	0.44 EUR
10000+	0.40 EUR
15000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4031NT1G

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 856 Stücke:

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR
5000+	0.30 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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NJT4031NT1G

Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP

auf Bestellung 31700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.85 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR
2000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT1G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 7424 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.37 EUR
2000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT1G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4031NT3G

Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP SOT223

auf Bestellung 4478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR
2000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.39 EUR
8000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

422+	0.35 EUR
438+	0.33 EUR
440+	0.31 EUR
474+	0.28 EUR
479+	0.26 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 422

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 3835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

440+	0.34 EUR
474+	0.30 EUR
479+	0.29 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 440

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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NJT4031NT3G

ON Semiconductor

auf Bestellung 2719 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4031NT3G

Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 9137 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
17+	1.04 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
2000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT44

auf Bestellung 55000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT4558M

auf Bestellung 376 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJT9616D

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NJTY 3266TA
Produktcode: 195600

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