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NJT4031NT1G

NJT4031NT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NJT4031NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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5000+0.54 EUR
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 856 Stücke:
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146+1.73 EUR
172+1.34 EUR
246+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 146 Stücke
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
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10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NJT4031NT1G NJT4031NT1G onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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146+1.73 EUR
172+1.34 EUR
246+0.87 EUR
500+0.7 EUR
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Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
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10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.45 EUR
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Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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