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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
RD3PULSEDescription: PULSE - RD3 - Schublade für 19"-Racks, mit Schloss, 3HE
Außentiefe - imperial: 14.65
Außenbreite - Zoll: 18.98
Außentiefe: 372
Außenhöhe: 130
Zur Verwendung mit: 19"-Rackschränke
Außenbreite: 482
Produktpalette: PULSE 19" Rack Drawers
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3-2650Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 1.4
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: STDP2650
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1197.72 EUR
RD3-2650Kinetic TechnologiesVideo IC Development Tools DP1.2 to HDMI1.4 Converter for STDP2650
Produkt ist nicht verfügbar
RD3-2850Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 2.0
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: MCDP2850
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
Produkt ist nicht verfügbar
RD3-30436-NTSCSTMicroelectronicsRD3-30436-NTSC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0NEC
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0B-T1B/JM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E--T4
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 103990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD3.0E-T1B1
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1B2
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T1L1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T4B1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0E-T4B2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3V 6% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3V 4% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.1V 3% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESNEC CorporationDescription: DIODE ZENER 3V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2197+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD3.0ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2197+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD3.0ES-T1AB1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0ES-T1AB2
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0ESABEICZener Diode Single 3.22V 6% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESAB1EICZener Diode Single 3.07V 4% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0ESAB2EICZener Diode Single 3.22V 3% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0F-AZNEC CorporationDescription: DIODE ZENER
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0F/JM(B1)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FBEIC1 Watt, Zener Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FB1EICZener Diode Single 2.95V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FB2EICZener Diode Single 3.1V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.0FM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM(D)-T1NECDO214
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-TNECSOT-
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0FM-T1B
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0L-T2NECLL34
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MNECSOT-23
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B(3V
auf Bestellung 16430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B(3V)
auf Bestellung 16430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T1B0
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M-T2B/B1
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0M<1>-T1BNECSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0MW-T1B
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0PNECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T1NECSOT89
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T1SOT89-3V-30NEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T2NECSOT89
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0P-T2-AZRenesasDescription: RD3.0P - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
475+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 475
RD3.0P3V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0SNEC
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1Rochester Electronics, LLCDescription: ZENER DIODE
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1NECSOD123
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1-ARenesasDescription: RD3.0S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3557+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3557
RD3.0S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0S-T1-ATRenesasDescription: RD3.0S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 122583 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3557+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3557
RD3.0S-T1/JMNECSOD123
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UHNEC
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UH-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UMNEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UM-T1NECSOD-523
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.0UM-T1-ARenesasDescription: RD3.0UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RD3.0UM-T2-ANECSOD123
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1466+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD3.3FBEIC1 Watt, Zener Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FB1EICZener Diode Single 3.25V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FB2EICZener Diode Single 3.39V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.3FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3MNEC
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-(T1B)NEC04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 6788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 10444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1BNECSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1B-A
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T1B3.3V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3M/B1/3.3VNEC07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3MW-T1B/B
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1NEC05+ SOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T1(3.3)
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T2NECSOT89
auf Bestellung 11442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3P-T2/3.3VNEC
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3SNEC00+ SOD-323
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1NEC04+ SOD323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1NEC03+
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(3.3V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B)
auf Bestellung 6130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B1)
auf Bestellung 187826 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1(B2)
auf Bestellung 125891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1-A/JMNEC07+PB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1-AT/JMRENESASSOD123
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3S-T1B
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UHNEC
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UH-T1NEC603
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UJ(3.3V)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UMNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NECSOT23
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1RENESASSOD-323
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.3UM-T1NEC#05+ SOD-523
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6E
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD3.6EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 5% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.6V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ELNECSOT-23 07+
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 5% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.68V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 3.63V 4% 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.56V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.71V 3% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6FM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FM-T1-A
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6FS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6MNECSOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 20600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 14641 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-A
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-A&JMNECSOT23
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B/B1
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B/B2
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-T1B3.6VNEC
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M-TIB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6M/23-3.6VNEC
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-T2/3.6V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6P-TT2/3.6VNEC
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6SNECSOD323
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2737+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2737
RD3.6S- T1
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1(B1)
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1(B2)
auf Bestellung 38108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-ARenesasDescription: RD3.6S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2701+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2701
RD3.6S-T1-A
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-A/JMNEC05+PB
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2701+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2701
RD3.6S-T1-B1NEC03+
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S-T1B
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6S3.6V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UH-T1NEC603
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UH-T1RenesasZENER DIODES 2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
RD3.6UMNEC
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UM-T1NECSOD-423
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.6UM-T1-ARenesasDescription: RD3.6UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2774+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2774
RD3.6UM-T13.6v
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.95(0)-T1-ANECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9E
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNECDO-214A 05+
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNEC05+ DO-214A
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FM-T1/1W3.9VNEC06+ SOT1812
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9FS-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M(3.9V)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 7537 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T1BNECSOT23/
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T2B 3.9VNECSOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T2B(3V9)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9M-T2B3.9V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MB1-T1BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MB23.9V
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW-T1BNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9MW-T2BNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9PNEC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1-AZ
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T13.9v
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T1B
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-T2/89-3.9V/3.9NEC
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P-TINEC
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9P/1W3.9VNEC06+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1-A/JMNEC08+PB/09+PB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9S-T1B
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9UH
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3.9UH-T13.9v
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30-3Bussmann / EatonControl Switches 30A 3P 100kA NON-F UL98
Produkt ist nicht verfügbar
RD30-3Eaton BussmannDescription: SWITCH 30A NON-F 3P UL98
auf Bestellung 1 Stücke:
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RD30-3EatonElectromechanical Switch Non-Fused Disconnect Switch 3P 30A
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RD300ExtechEnvironmental Test Equipment Refrigerant Leak Detector
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RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Application: air conditioning; cooling systems
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Body dimensions: 184x70x40mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Probe length: 450mm
Storage temperature: -10...60°C
Operating temperature: 0...50°C
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RD300FLIR ExtechDescription: REFRIGERANT LEAK DETECTOR
Produkt ist nicht verfügbar
RD300Teledyne FLIRRefrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Application: air conditioning; cooling systems
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Body dimensions: 184x70x40mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Probe length: 450mm
Storage temperature: -10...60°C
Operating temperature: 0...50°C
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LFLIR ExtechDescription: REPLACEMENT LED TIP FOR RD300
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LTeledyne FLIRLED Light Tip for Refrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-LExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Led Tip For RD300 (Please Confirm Availability)
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-SExtechEnvironmental Test Equipment Heated Diode Replacement Tip For RD300
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-SFLIR ExtechDescription: HEATED DIODE REPLACEMENT TIP FOR
Produkt ist nicht verfügbar
RD300-STeledyne FLIRHeated Diode Sensor Tip for Refrigerant Leakage Detector
Produkt ist nicht verfügbar
RD303M,
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD303S-T1
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3053PAPANASONIC02+
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30B104M201B6H07BWalsinMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded CAP X7R .1 uF 20 % 200V 5LL 7.5LS BULK
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ERenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 144896 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30E-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 13838000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30E-T2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4Renesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1170000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8103+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8103
RD30E-T4B4
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30EBEIC SemiconductorZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ES-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 71340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30ES-T1
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30ESABEICZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB1EICDiode Zener Single 27.7V 3% 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB2EICZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB3EICDiode Zener Single 29.1V 3% 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30ESAB4EICDiode Zener Single 29.8V 3% 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 23822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30F(10)-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30F-T7Renesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 803884 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FBEIC1 Watt, Zener Diodes
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB1EICZener Diode Single 28.26V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB2EICZener Diode Single 29.37V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB3EICZener Diode Single 30.42V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD30FB3
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1NECDO214
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1NECDO-214
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1/JM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30FM-T1B
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30HUF1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30HVF1
Produktcode: 40856		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD30HVF1-101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30JS-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 628750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5864+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5864
RD30JSABEICZener Diode Single 30V 6% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB1EICZener Diode Single 28.9V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB2EICZener Diode Single 29.9V 3% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30JSAB3EICZener Diode Single 31V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD30M-DNEC
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B 30VNECSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T1B30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T2BNECSOT343
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30M-T2BNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P(2)-T1NECSOT89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T1NEC01+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T1/30
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T130V
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30P-T2NECSOT223
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30PC27-T1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30SNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30SNECSOD323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S 30VNECSOD323
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD30S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3652+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3652
RD30S-T1 0805-30V-301NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1-A
auf Bestellung 21886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T10805-30
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T10805-30V-301NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T130V
auf Bestellung 51650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T1B
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30S-T2-ARenesasDescription: RD30S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3713+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3713
RD30S30V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UJ-T1
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UJ-T1-ARenesasDescription: RD30UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3037+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3037
RD30UM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UM-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30UM-T1-ATRenesasDescription: RD30UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2929+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2929
RD30UM-T1-AT/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD30V
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3112MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260Q
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3112MMA7260Q
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3112MMA7260QENXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260QT
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3112MMA7260QE
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123PA
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123RA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123S
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3123V04+
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3152MMA7260QNXP SemiconductorsMMA7260QT Accelerometer Sensor Development Tool
Produkt ist nicht verfügbar
RD3152MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD REF 3-AXIS ACCELEROMETER
Packaging: Box
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908JW32
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
RD3153NA
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3153RA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3172MMA7455LNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR MMA7455L
Produkt ist nicht verfügbar
RD3172MMA7455L
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3172MMA7455LNXP SemiconductorsAcceleration Sensor Development Tools EVAL BD FOR MMA7455L
Produkt ist nicht verfügbar
RD3172MMA7456LFreescale Semiconductor - NXPDescription: KIT MMA7456 BOARD/MC13213 BOARD
Produkt ist nicht verfügbar
RD3172MMA7456L
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD31P-4/111479ebm-papst Inc.Description: FAN BLWR 516X405MM 277/440VAC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3243RA
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3304
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3326
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD332M50R. G. Allen Co.Конденсатор електролітичний радіальний; С, мкФ = 3 300; Uном, В = 50; Габ. розм, мм = 18 x 36; Тексп, °С = -40...+85; 18x36mm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
RD335M400HFCBAAillenDescription: CAP ALUM 3.3UF 20% 400V RAD TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.315" Dia (8.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.138" (3.50mm)
Lifetime @ Temp.: 8000 Hrs @ 85°C
Height - Seated (Max): 0.472" (12.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 3.3 µF
Voltage - Rated: 400 V
Ripple Current @ High Frequency: 110 mA @ 100 kHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771-48VEVM
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 175-189 Tag (e)
1+2732.86 EUR
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsMC33771B Motion Motor Control Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771-48VEVMNXP USA Inc.Description: RD33771-48VEVM
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771CDSTEVBNXP USA Inc.Description: RDMC33771CEPEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33771C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RDMC33771CEPEVB
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+1032.43 EUR
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771CNTREVM
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+3135.63 EUR
RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33772BJBEVM
Produkt ist nicht verfügbar
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsMC33772 Battery Management Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNC3EVBNXP USA Inc.Description: EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNT2EVBNXP USA Inc.Description: RD33774CNT2EVB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774CNT3EVBNXP SemiconductorsNXP Semiconductors RD33774CNT3EVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33774PC3EVBNXP SemiconductorsNXP Semiconductors RD33774PC3EVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsMC33665A, MC33775A Reference Design Board
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNCEVB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+1202.37 EUR
RD33775ACNCEVBNXPDescription: NXP - RD33775ACNCEVB - Evaluationsboard, MC33665A, MC33775A, Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD33775ACNCEVBNXP USA Inc.Description: CAN FD CENTRALIZED EVB
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1101.98 EUR
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNTEVB
Produkt ist nicht verfügbar
RD33775ACNTEVBNXP USA Inc.Description: RD33775ACNTEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33775A
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: No
Part Status: Active
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RD33775ADSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ADSTEVB
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RD33ESAB2
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RD33F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7676 Stücke:
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1758+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1758
RD33F-B2
auf Bestellung 350 Stücke:
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RD33F-T6Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1353+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1353
RD33F-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 4400 Stücke:
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1466+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33F-T7Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1353+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1353
RD33F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 709505 Stücke:
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1466+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 7500 Stücke:
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1466+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1466
RD33FBEIC1 Watt, Zener Diodes
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RD33FB1EICZener Diode Single 31.16V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
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RD33FB2
auf Bestellung 15000 Stücke:
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RD33FB2EICZener Diode Single 32.28V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
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RD33FB3EICZener Diode Single 33.27V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
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RD33FMNEC09+
auf Bestellung 36018 Stücke:
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RD33FMNECDO-214
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RD33FM(0)-T1-AYRenesasDescription: RD33FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1
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RD33FM(D)-T1NEC
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RD33FM(D)-T1(33V)
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RD33FM(D)-T1TE25-33VNEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD33FM(D1)-T1NEC33V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD33FM(D1)-T1-AZRenesasDescription: RD33FM - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 30000 Stücke:
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1209+0.66 EUR
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RD33FM-T1
auf Bestellung 50000 Stücke:
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RD33FM-T1-AYRenesasDescription: RD33FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W P
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RD33FM-T1-AZRenesasDescription: RD33FM-T1-AZ - ZENER DIODES1 W P
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RD33FM-T1-AZnec
auf Bestellung 1500 Stücke:
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RD33FS-T1-AYRenesasDescription: RD33FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0 W
auf Bestellung 38000 Stücke:
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732+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 732
RD33MNEC
auf Bestellung 180000 Stücke:
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RD33M-T1BNECSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD33M-T1B(33V)
auf Bestellung 8993 Stücke:
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RD33M-T2B(33V)
auf Bestellung 7000 Stücke:
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RD33PNEC00+ SOT-89
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RD33P-T1NEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD33P-T1(33)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RD33P-T1(33V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD33P-T2NECSOT89
auf Bestellung 977 Stücke:
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RD33SNEC
auf Bestellung 800 Stücke:
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RD33S(0)-T1-ARenesasDescription: RD33S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 69000 Stücke:
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3747+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3747
RD33S-T1
auf Bestellung 15000 Stücke:
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RD33S-T1(33V)
auf Bestellung 3445 Stücke:
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RD33S-T1(B1)
auf Bestellung 153652 Stücke:
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RD33S-T1-A/JMNECSOD123
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD33S-T1-ATRenesasDescription: RD33S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 59255 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3747+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3747
RD33S-T133V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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RD33S-T1B
auf Bestellung 20000 Stücke:
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RD33UJ-T1
auf Bestellung 48000 Stücke:
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RD33UJ-T1-ATRenesasDescription: RD33UJ-T1-AT - LOW NOISE SHARP B
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 54000 Stücke:
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2908+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2908
RD33UM\33VNEC
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RD33U\33VNEC
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RD3470
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RD3472
auf Bestellung 28 Stücke:
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RD3473A
auf Bestellung 8 Stücke:
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RD3473MMA7360L
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3473MMA7360LNXP USA Inc.Description: BOARD ZSTAR2 XYZ-AXIS ACCEL
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RD35Banner EngineeringBanner Engineering
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RD35-BAstrodyneRD35-B
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RD3501-DCarlo Gavazzi Computing SolutionsRD3501-D
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+158.71 EUR
4+ 150.19 EUR
RD3501-DCarlo GavazziSolid State Relays - Industrial Mount SSR DC SWITCHING 350V 1A
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RD35AM(D)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD35HUF2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD367ABB - THOMAS & BETTSDescription: ABB - THOMAS & BETTS - RD367 - TERMINAL, RING TONGUE, #10, CRIMP, RED
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 0
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Bolzengröße - metrisch: M5
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 0
Bolzengröße - imperial: #10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Isolatorfarbe: Red
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sta-Kon RD Series
SVHC: No SVHC
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD36EBEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
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RD36EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
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RD36EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
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RD36EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
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RD36EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
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RD36ES-T1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
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RD36ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
Produkt ist nicht verfügbar
RD36ESAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
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RD36ESAB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
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RD36F-T7
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36F-T7(B2)
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 35.13V 3% 1000mW 2-Pin DO-41
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RD36FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 34.09V 3% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
RD36FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 35.14V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
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RD36FB3EIC SemiconductorZener Diode Single 36.1V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
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RD36FM
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM(D)-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36FM-T1NEC09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36JSAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 37V 2% 300Ohm 400mW 2-Pin DO-34
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RD36MNECSOT23
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36MNEC
auf Bestellung 100 Stücke:
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RD36M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36M-T2BNECSOT23
auf Bestellung 11898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36M-T2B-A
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36MW-T1B36V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NECSOT89
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T1NEC
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T136V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T2NEC
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36P-T2NECSOT89
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S(0)-T1-ARenesasDescription: RD36S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3468+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD36S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3468+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S-T1NECSMD0805
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1NECSOD323
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1NEC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1-ATRenesasDescription: RD36S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3468+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36S-T136V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T1B
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36S-T2-ARenesasDescription: RD36S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3468+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3468
RD36SL-T1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36U
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UJ-T1
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UJ-T1-ARenesasDescription: RD36UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3106+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
RD36UJ-T1/N3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UMNECSOD523
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UM-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36UM-T1-ARenesasDescription: RD36UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3106+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
RD36UM-T1-ATRenesasDescription: RD36UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3106+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
RD36UM\36VNEC
auf Bestellung 129100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD36U\36VNEC
auf Bestellung 129100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M00000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M00000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0000ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0000Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
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RD37M000E0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E0/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
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RD37M000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E2ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000E2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000EXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000EZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000T0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000T20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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RD37M000TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M000V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M000V5XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M00GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0F000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F00XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0F00X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0F00ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S5000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S5000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S500XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S500X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S500ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S500Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S50T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S50T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S50T20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M0S50T2XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50T2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TX/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50TZ/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V3X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
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RD37M0S50V3Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
auf Bestellung 106 Stücke:
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RD37M0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M1000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
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RD37M100E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 194 Stücke:
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RD37M100E2Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 172 Stücke:
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RD37M100TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
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RD37M100TZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
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RD37M10ANVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 6 Stücke:
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RD37M10GE0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GEX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 71 Stücke:
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RD37M10GEZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GEZ-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37M10GEZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 53 Stücke:
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RD37M10GVL0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GVLXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M10GVLX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
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RD37M10GVLZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 60 Stücke:
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RD37M10HV50/AAPositronicDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
Packaging: Box
Features: Backshell, Cable Clamp, Mounting Hardware
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 7.5A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: FLASH
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Steel, Clear Chromate Plated Zinc
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+222.07 EUR
RD37M10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
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RD37M1F00Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 116 Stücke:
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RD37M1S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S500ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S500Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S50V5XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37M1S50V5ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37P/37.14/89-37VNEC
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37P1000SAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Stainless Steel, Passivated Shell
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S00000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S00000/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - RD37S00000/AA - D-Sub-Steckverbindergehäuse, 37 -polig, D-Sub, DC, Produktreihe RD, Buchse, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 37-polig
productTraceability: No
Steckverbindertyp: D-Sub
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Steckverbindergehäusegröße: DC
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Positronic RD Series Female Contacts
usEccn: EAR99
Produktpalette: Produktreihe RD
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD37S00000/AAPEI-GenesisDescription: D-SUB 37 SKT
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0000SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000E20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000E2S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Cable Side, Male Jackscrew (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000T0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S00HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S00LT2SPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S5000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S5000/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10000-919.2Positronic IndustriesRD37S10000-919.2
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+182.8 EUR
RD37S100E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S100E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S100E60Amphenol PositronicD-Sub Mil Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S100T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S100TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S100V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10GEX-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S10GEX/AAPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10HECPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
Produkt ist nicht verfügbar
RD37S1S500SPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S1S50T20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S1S50T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S1S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S1S50TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD37S1S50TX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3803MMA7660FCNXP SemiconductorsMMA7660FC Accelerometer Sensor Evaluation Kit
Produkt ist nicht verfügbar
RD3803MMA7660FCNXP USA Inc.Description: KIT EVAL BOARD MMA7660FC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3803MMA7660FC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010C0ZTL
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010C0ZTL0
auf Bestellung 67150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010C0ZTL0ES
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010COZBL0
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010COZBLO
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010COZTLO
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010W0YTL0
auf Bestellung 14152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1010WOYTLO
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZBL0INTEL05+
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZBL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RD38F1020C0ZBL0SB93
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZBLQ
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020C0ZTL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RD38F1020COIBL0
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020COZBL0INTELBGA??
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020COZBLO
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020COZTLO
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD38F1020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 32MBIT 65NS 66SCSP
Produkt ist nicht verfügbar
RD38F1020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 65ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 65 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RD38F1020WOYTQ0INTELBGA??
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RD38F1030WOYBQ2INTELBGA?
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RD38F1030WOZTQ0INTELBGA??
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RD38F2020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
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RD38F2020W0YTQ0INTELBGA
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RD38F2020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
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RD38F2020W0YTS0
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RD38F2020W0ZBQ0
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RD38F2020WOZBQO
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RD38F2030W0ZBQ1
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RD38F2030W0ZTQ0
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RD38F2030W0ZTQ1
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RD38F2030WOYTQFINTELBGA??
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RD38F2030WOZBQ1INTELBGA??
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RD38F2030WOZTQ2
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RD38F2040
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RD38F2040W0ZBQ1INTEL07+
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RD38F2040WOYBQO
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RD38F2040WOZBQ0INTELBGA??
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RD38F2040WOZBQ1INTELBGA??
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RD38F2040WOZBQO
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RD38F2040WOZTQO
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RD38F2240WWYDQ0INTELBGA??
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RD38F2240WWYDQ0INTEL04+
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RD38F2240WWYDQOINTEL04+
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RD38F2240WWYTQ0INTELBGA??
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RD38F2240WWZD
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RD38F2240WWZDQ0INTELBGA??
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RD38F2240WWZDQ0IntelDescription: IC FLASH RAM 64MBIT CFI 88SCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit (FLASH), 32Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, PSRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 88-SCSP (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: CFI
Access Time: 85 ns
Memory Organization: 8M x 8 (FLASH), 4M x 8 (RAM)
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2400 Stücke:
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28+25.78 EUR
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RD38F2240WWZDQ1
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RD38F2240WWZDQO
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RD38F3000LOYBQO
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RD38F3040L0YBQ0INTELBGA
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RD38F3040L0ZBQ0INTEL
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RD38F3040L0ZBQ0(TSTDTS)
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RD38F3040L0ZBQ0S B93INTEL06+;
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RD38F3040L0ZTQ0
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RD38F3040L0ZTQ0856811INTEL06+;
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RD38F3040LOYTQO
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RD38F3040LOZBINTEL05+
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RD38F3040LOZBQ0INTEL420
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RD38F3040LOZBQ0INTEL420
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RD38F3040LOZBQ1
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RD38F3040LOZBQO
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RD38F3040LOZTQ0INTELBGA??
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RD38F3040LOZTQOINTELBGA
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RD38F3050LOYTQ1
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RD38F3050LOZBQOINTELBGA
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RD38F3350LL
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RD38F3350LLZDQ0INTELBGA 08+
auf Bestellung 3591 Stücke:
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RD38F3350WWZDQ1SB93IntelDescription: IC FLASH 128MBIT 65NS 88SCSP
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RD38F3352LLZDQ0
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RD38F4000LOYBQ0INTELBGA??
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RD38F4000LOYBQO
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RD38F4000LOYTQO
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RD38F4000LOZBQOINTELBGA?
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RD38F4050L0YBQ1
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RD38F4050L0YTQ1ITL07+;
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RD38F4050L0ZBQ0ITL07+;
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RD38F4050L0ZTQ0ITL07+;
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RD38F4050LOZBQO
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RD38F4050LOZTQO
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RD38F4400LOYBP0INTELBGA??
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RD38F4400LOYDQO
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RD38F4400LOZDQ0INTELBGA??
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RD38F4400LOZDQO
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RD38F4455LLYBQ2INTELBGA?
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RD38F4455LLZBQ0INTELBGA??
auf Bestellung 81 Stücke:
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RD38F4466LLYBQ864891INTEL
auf Bestellung 3348 Stücke:
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RD38F4470LLYFH0INTELBGA??
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RD38F5070MOY0B0INTELBGA??
auf Bestellung 21 Stücke:
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RD38F5070MOYOBOES
auf Bestellung 20 Stücke:
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RD3924MMA8450Q
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3924MMA8450QNXP USA Inc.Description: BOARD DEV ACCELEROMETER MMA8450
Produkt ist nicht verfügbar
RD3965MMA7660FC
auf Bestellung 5 Stücke:
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RD3965MMA7660FCNXP USA Inc.Description: ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC
Produkt ist nicht verfügbar
RD39ENEC CorporationDescription: RD39 - 500MW ZENER DIODE, DO-35
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2029+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2029
RD39E-TB
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RD39EB3
auf Bestellung 4960 Stücke:
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RD39ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
auf Bestellung 2252000 Stücke:
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2197+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2197
RD39F2030W0ZBQ1
auf Bestellung 1000 Stücke:
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RD39FB3
auf Bestellung 3800 Stücke:
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RD39FM
auf Bestellung 15000 Stücke:
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RD39FM-T1NEC1808
auf Bestellung 12000 Stücke:
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RD39FM-T1B(39V)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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RD39FS?0?-TI-AYRENESASSOD-123
auf Bestellung 6000 Stücke:
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RD39JS/JM
auf Bestellung 200 Stücke:
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RD39L-T1NEC
auf Bestellung 42000 Stücke:
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RD39MNEC
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RD39M-T1
auf Bestellung 9000 Stücke:
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RD39M-T2B(39)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39PNECSOT-89
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RD39P(39V)
auf Bestellung 2910 Stücke:
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RD39P-T1NECSOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
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RD39P-T1(B)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T1-AYRenesasDescription: RD39P-T1-AY - 1W POWER MINI MOLD
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Part Status: Obsolete
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD39P-T1/39/39VNEC
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T139V
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P-T2-AZRenesasDescription: RD39P - 1W ZENER DIODE
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
757+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 757
RD39P-T2/39VNEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39P/89-39VNEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD39S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 68427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3925+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3925
RD39S(0)-T1-AT/JMRENESASSOD323
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NECSOD323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NEC05+ SOD-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1NEC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T139V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1BNEC01+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T1BNECSOD323
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39S-T2-ATRenesasDescription: RD39S-T2-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3925+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3925
RD39UJ-T1
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UJ-T1-ARenesasDescription: RD39UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2507+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2507
RD39UJ-T13.9V
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UM(39V)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD39UM-T1-ARenesasDescription: RD39UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3059+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3059
RD3A2BY100J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY100J-T1
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY102J-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY103J
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY104J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY105J-T2
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY113J-T2
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY114J-T2
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY132J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY150J
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY152J-T2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY181J
auf Bestellung 50500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY202J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY204J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY220J
auf Bestellung 41500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY221J-T2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY223J-T2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY272J
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY273J
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY301J
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY303J-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY304J-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY333J-T1
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY361J-T1
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY363J
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY391J
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY473J
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY512J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY561J
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY561J-T2
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 11500 Stücke:
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RD3A2BY5R1J
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY621J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY822J
auf Bestellung 12420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY823J
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY910J
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY911J
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY911J-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3A2BY912J-T2
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3CYD08CMB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3CYD08CME
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3CYD08VSERENESAS05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3CYDT08CMH1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 124
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -15A Power MOSFET
auf Bestellung 33436 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
25+ 2.11 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.19 EUR
2500+ 1.13 EUR
5000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 124
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.47 EUR
112+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 107
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.47 EUR
112+ 1.35 EUR
250+ 1.25 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 1.07 EUR
2500+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 107
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 4832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.91 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -35A Power MOSFET
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
19+ 2.89 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.54 EUR
2500+ 1.44 EUR
5000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
15+ 3.48 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 2 EUR
2500+ 1.7 EUR
10000+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.72 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.44 EUR
100+ 2.25 EUR
250+ 2.08 EUR
500+ 1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.51 EUR
12+ 4.6 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.59 EUR
500+ 3.09 EUR
1000+ 2.63 EUR
2500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
auf Bestellung 9253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.49 EUR
10+ 4.54 EUR
100+ 3.62 EUR
500+ 3.06 EUR
1000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.72 EUR
96+ 1.58 EUR
107+ 1.36 EUR
200+ 1.26 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.47 EUR
5000+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 5.9 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.95 EUR
1000+ 3.35 EUR
2500+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 3.22 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3G400GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G400GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.63 EUR
500+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.53 EUR
5000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3G400GNTLROHM SEMICONDUCTORRD3G400GNTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.81 EUR
2500+ 1.69 EUR
5000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
10+ 3.64 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.45 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3G600GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G600GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.45 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.7 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.12 EUR
2500+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.3 EUR
20+ 2.73 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.46 EUR
2500+ 1.38 EUR
5000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.48 EUR
10+ 3.12 EUR
100+ 2.43 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3H045SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H045SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.15 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.04 EUR
10+ 2.72 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 4376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.11 EUR
10+ 3.67 EUR
100+ 2.86 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H080SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.29 EUR
14+ 3.85 EUR
100+ 3.02 EUR
500+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 4376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H080SPFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3H080SPFRATL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H080SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3316 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.41 EUR
2500+ 1.35 EUR
5000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 17
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.94 EUR
11+ 2.39 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.58 EUR
1000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.71 EUR
108+ 1.41 EUR
126+ 1.16 EUR
200+ 1.06 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 92
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 3691 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3H160SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
15+ 3.69 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.8 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.4 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 87
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3H160SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 16670 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.03 EUR
15+ 3.61 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 1.83 EUR
2500+ 1.7 EUR
5000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.47 EUR
10+ 3.99 EUR
100+ 3.11 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3H160SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H160SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.71 EUR
100+ 2.98 EUR
500+ 2.45 EUR
1000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
16+ 3.35 EUR
100+ 2.7 EUR
500+ 2.21 EUR
1000+ 1.83 EUR
2500+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.08 EUR
10+ 3.66 EUR
100+ 2.85 EUR
500+ 2.36 EUR
1000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3H200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 7283 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
16+ 3.41 EUR
100+ 2.65 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.73 EUR
2500+ 1.61 EUR
10000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -10A Power MOSFET
auf Bestellung 36432 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
26+ 2.06 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.11 EUR
5000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.38 EUR
119+ 1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 114
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.06 EUR
174+ 0.87 EUR
203+ 0.72 EUR
214+ 0.65 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 148
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 26
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.38 EUR
119+ 1.27 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 114
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.43 EUR
115+ 1.31 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 1.05 EUR
2500+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 110
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 12958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.41 EUR
10+ 2.8 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -35A Power MOSFET
auf Bestellung 30602 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.54 EUR
2500+ 1.44 EUR
5000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.04 EUR
166+ 0.91 EUR
185+ 0.79 EUR
200+ 0.73 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 150
RD3L03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.83 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 2.01 EUR
2500+ 1.71 EUR
10000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
10+ 3.07 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNFRATL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.53 EUR
25+ 3.35 EUR
100+ 2.75 EUR
250+ 2.57 EUR
500+ 2.27 EUR
1000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.74 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.16 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.62 EUR
5000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNTL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 2036 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.02 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.95 EUR
500+ 1.65 EUR
1000+ 1.34 EUR
2500+ 1.26 EUR
5000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 18
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
11+ 2.55 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.48 EUR
100+ 2.28 EUR
250+ 2.11 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 64
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.41 EUR
10+ 4.49 EUR
100+ 3.57 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.4 EUR
72+ 2.11 EUR
100+ 1.66 EUR
200+ 1.49 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 66
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -70A Power MOSFET
auf Bestellung 57990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
12+ 4.68 EUR
100+ 3.72 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.7 EUR
2500+ 2.68 EUR
5000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.64 EUR
10+ 6.86 EUR
100+ 5.51 EUR
500+ 4.53 EUR
1000+ 3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3L07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.18 EUR
10+ 6.45 EUR
100+ 5.17 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.69 EUR
2500+ 3.12 EUR
10000+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L080SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 8716 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.48 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.54 EUR
2500+ 1.44 EUR
5000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.63 EUR
104+ 1.45 EUR
250+ 1.27 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 96
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.07 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.87 EUR
195+ 0.77 EUR
201+ 0.72 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 179
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L080SNTL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.06 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 6442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.55 EUR
13+ 2.09 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
RD3L080SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 2721 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.16 EUR
11+ 5.12 EUR
100+ 4.08 EUR
250+ 3.77 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.09 EUR
50+ 3.8 EUR
100+ 3.53 EUR
250+ 3.29 EUR
500+ 3.07 EUR
1000+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.09 EUR
50+ 3.8 EUR
100+ 3.53 EUR
250+ 3.29 EUR
500+ 3.07 EUR
1000+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.57 EUR
10+ 6.79 EUR
100+ 5.46 EUR
500+ 4.49 EUR
1000+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3L140SPROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7977 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3L140SPFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPFRATL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.53 EUR
5000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L140SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 12640 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.33 EUR
500+ 2.01 EUR
1000+ 1.64 EUR
2500+ 1.54 EUR
5000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.75 EUR
2500+ 1.65 EUR
5000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 31637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.95 EUR
10+ 3.24 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.64 EUR
5000+ 1.56 EUR
12500+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L140SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPTL1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.54 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L150SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
18+ 2.99 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
2500+ 1.62 EUR
5000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.18 EUR
5000+ 1.13 EUR
12500+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L150SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.89 EUR
23+ 2.35 EUR
100+ 1.83 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.26 EUR
2500+ 1.19 EUR
5000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 19
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 24538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.86 EUR
12+ 2.34 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.46 EUR
10+ 4.91 EUR
100+ 3.94 EUR
500+ 3.24 EUR
1000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3L220SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.89 EUR
14+ 3.82 EUR
100+ 3.25 EUR
250+ 2.99 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.32 EUR
2500+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 11
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 10355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.26 EUR
100+ 2.59 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.77 EUR
5000+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.95 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.41 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.86 EUR
23+ 2.34 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.32 EUR
2500+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
170+ 0.89 EUR
198+ 0.73 EUR
209+ 0.67 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 145
RD3P02BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P02BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.69 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.36 EUR
500+ 2 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.45 EUR
10000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 2063 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3P050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 3259 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
21+ 2.51 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.44 EUR
2500+ 1.35 EUR
5000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3P050SNTL1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
13+ 2.12 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 8496 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
29+ 1.8 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.91 EUR
5000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 25
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.64 EUR
100+ 1.51 EUR
112+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 96
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P05BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P05BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 153-167 Tag (e)
9+6.11 EUR
11+ 5.1 EUR
100+ 4.06 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 3.07 EUR
2500+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.21 EUR
10+ 5.17 EUR
100+ 4.11 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3P07BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 4684 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.99 EUR
10+ 5.88 EUR
25+ 5.56 EUR
100+ 4.76 EUR
250+ 4.5 EUR
500+ 4.24 EUR
1000+ 3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 8
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
auf Bestellung 9836 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.23 EUR
10+ 6.01 EUR
100+ 4.78 EUR
500+ 4.05 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RD3P08BBDTLROHM SemiconductorMOSFET RD3P08BBD is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.93 EUR
10+ 7.12 EUR
100+ 5.72 EUR
500+ 4.71 EUR
1000+ 3.9 EUR
2500+ 3.61 EUR
5000+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.26 EUR
5000+ 3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
RD3P08BBDTLROHM SEMICONDUCTORRD3P08BBDTL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P100SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P100SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.7 EUR
2500+ 1.57 EUR
5000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P100SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)