Produkte > RVQ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| RVQ040N05 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RVQ040N05FRA | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RVQ040N05FRATR | ROHM | Description: ROHM - RVQ040N05FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: TSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RVQ040N05GZTR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RVQ040N05HZGTR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±21V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RVQ040N05HZGTR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RVQ040N05HZGTR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 45V 4A Small Signal MOSFET - RVQ040N05HZG is a MOSFET for the DC-DC converter. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RVQ040N05HZGTR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±21V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RVQ040N05HZGTR | ROHM | Description: ROHM - RVQ040N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: TSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RVQ040N05HZGTR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RVQ040N05TR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RVQ040N05TR | ROHM SEMICONDUCTOR | RVQ040N05TR SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RVQ040N05TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 4A | auf Bestellung 2187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RVQ040N05TR | ROHM | Description: ROHM - RVQ040N05TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RVQ040N05TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 21V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RVQ040N05TR | ROHM | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RVQ040N05TR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 45V 4A 6-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 5062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RVQ040N05TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 21V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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