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S6DGeneSiC SemiconductorRectifiers 200V 6A Std. Recovery
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S6DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
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S6D0136X02-B0 FKSamsung
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S6D0142Samsung
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S6D0144-COGSamsung
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S6D0144X01-BHCY
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S6D0147X05-B0F1Samsung
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S6D0149X01-B4D8
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S6D0154Samsung
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S6D0154X011-BOC8
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S6D0158A01-BOF8
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S6D04H0A0A-B0C1Samsung
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S6D04K1X02-BAF5Samsung
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S6D04K1X04-BXG5Samsung
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S6D05AOX01-B2D8-7P8B7C
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S6D06065GTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 52A
Max. forward voltage: 1.6V
Power dissipation: 88W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 92 Stücke:
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52+1.67 EUR
58+1.48 EUR
65+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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S6D06065ISMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 559pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-Isolation
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 650 V
auf Bestellung 991 Stücke:
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6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
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S6D06065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 6A, DFN88, SIC SCHOTTKY DI
Packaging: Cut Tape (CT)
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S6D06065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 6A, DFN88, SIC SCHOTTKY DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D0628X01-BOC8SAMSANG
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S6D10065ASMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220AC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
Produkt ist nicht verfügbar
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S6D10065D1SMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-3,TO247AD
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-3; TO247AD
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
auf Bestellung 22 Stücke:
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17+5.21 EUR
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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S6D10065ETRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: DPAK
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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S6D10065FSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; ITO220AC; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: ITO220AC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.08 EUR
32+2.69 EUR
50+2.18 EUR
100+1.98 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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S6D10065GTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: D2PAK
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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S6D10065ISMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 769pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-Isolation
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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S6D10065ISMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 40uA
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO220ISO
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.18 EUR
25+3.44 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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S6D10065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 10A, DFN88, SIC SCHOTTKY D
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D10065LSMC Diode SolutionsDescription: 650V, 10A, DFN88, SIC SCHOTTKY D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D10065LSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: DFN8x8
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 103W
Max. load current: 33A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D16065ASMC Diode SolutionsDescription: SILICON CARBIDE DIODE 650V, 16A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1560pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D20065ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D20065GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D20065GSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 61A TO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D20065PSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D2115X21-B0CY-60
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D2121x01-BHC8
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6D2213X01-BHCKSamsung
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DB53
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DF30
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DNF30LOO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DNF30V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S6DRGeneSiC SemiconductorRectifiers 200V 6A REV Leads Std. Recovery
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH