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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
SIU175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3682.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3843.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3911.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3789.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5024.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4302.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIU175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5059.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
auf Bestellung 11795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYSIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3VishayN-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYSIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.57 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
auf Bestellung 132843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3VISHAYSIUD403ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.01 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 60464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
auf Bestellung 11119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
48+0.37 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
auf Bestellung 25897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD403ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.10 EUR
6000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.01 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 60464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.58 EUR
381+0.37 EUR
388+0.35 EUR
397+0.33 EUR
750+0.17 EUR
756+0.16 EUR
815+0.14 EUR
1125+0.10 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
auf Bestellung 12682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.70 EUR
10+0.50 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
auf Bestellung 13666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
38+0.46 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 0.8A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD406ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 0.8A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
75000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD412ED-T1-GE3VISHAYSIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD412ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.59 EUR
100+0.33 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
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SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
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SIUPC3Carlo GavazziInterface Modules RS485/USB CONVERTER REV.0
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SIUTCP2Carlo GavazziInterface Modules VIRTUAL COMM PORT GATEWAY
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