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SQ90501+
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SQ905
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SQ905-CQSQO436
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SQ905-L
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SQ905-PVQSQ0318+ QFP
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SQ905B0203+
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SQ905B-CQ02+
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SQ905b-HVQ
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SQ905b-IVQ
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SQ905b-lVQ0234+
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SQ905BCQSQ TechnQFP 04+
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SQ905BHVLSQ TechnLQFQ 04+
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SQ905BHVQSQ TechnQPF 04+
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SQ905CSQ TechnLQFP100 04+
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SQ905C-D
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SQ905C-LSQ05/04+
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SQ905CQSQ
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SQ906-LSQ0345+
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SQ907B-L
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SQ908DIE 06+
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SQ908
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SQ909-D
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SQ909-L
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SQ913C-L
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SQ913D-LSQ Technolog2004
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SQ913D-LTECHNOLOGYLQFP128 425
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SQ913D-LSQQFP128
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SQ913D-LTECHNOLOGY425 LQFP128
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SQ915
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SQ915D
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SQ915D-LSQ Technolog2004
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SQ916B-L
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SQ930B-B
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SQ930B-L
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SQ930C-LSQ TechnLQFP 04+
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SQ930C-LSQQFP
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SQ931CV-LSQTECH07+ QFP
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SQ931PA-LSQ Technolog2007
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SQ9407EY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ9407EY-T1_GE3
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SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
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2500+0.7 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.65 EUR
5000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2500+1.11 EUR
5000+ 1.06 EUR
12500+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9407EY-T1_BE3
Produktcode: 198760		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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SQ9407EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 60 V
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19+2.76 EUR
24+ 2.25 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.21 EUR
2500+ 1.14 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12617 Stücke:
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10+2.7 EUR
12+ 2.2 EUR
100+ 1.71 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9407EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9407EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 4676 Stücke:
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19+2.76 EUR
24+ 2.25 EUR
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1000+ 1.21 EUR
2500+ 1.14 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 23698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 23698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
12+ 2.2 EUR
100+ 1.71 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SQ9505AE/FFLR3-511na02+
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945AEY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945AEY-T1VishayMOSFET
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SQ9945AEY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V
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SQ9945AEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945AEY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9945AEY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945AEY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945BEY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945BEY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
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SQ9945BEY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 60V (D-S)
auf Bestellung 55440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
25+ 2.1 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.13 EUR
2500+ 1.05 EUR
5000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 21
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.55 EUR
13+ 2.09 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1_BE3VishayN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 4986 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.55 EUR
13+ 2.09 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
76+ 0.95 EUR
99+ 0.73 EUR
105+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 69
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 13873 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.99 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.1 EUR
500+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6
Verlustleistung Pd: 4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SQ9Z-LDIDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode 6-
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SQ9Z-LD1IDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode Re
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SQ9Z-LRIDECRelay Sockets & Hardware SQ Socket Plug-in LED/RC 110-
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