Produkte > XP8

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
XP8081
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP824OLZU200E
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8260ZU200HAV
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP82C684CJXPPLCC
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJBYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP83T03 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJBYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+0.86 EUR
80+0.77 EUR
560+0.65 EUR
2560+0.59 EUR
5040+0.55 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP83T03GJBYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
80+0.93 EUR
160+0.83 EUR
560+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP850CZT50B
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP850DEZT80BU
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP860ENCZP50CMOTBGA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP860SRZP50C1MOTOROLA
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M000000S412TGSDescription: CRYSTAL 8MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M192000S410TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 10pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M192000S412TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 12pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M192000S416TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 16pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M192000S418TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 18pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8M192000S420TGSDescription: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 20pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 8.192 MHz
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TLYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+6.21 EUR
25+6.20 EUR
100+4.56 EUR
500+3.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 0.0012 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.69 EUR
10+21.75 EUR
100+18.81 EUR
500+17.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA1R2TLYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 0.0012 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: XP8NA1R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 0.0022 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 0.0022 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP8NA2R2C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+4.28 EUR
100+3.08 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP8NA2R2CXTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
10+4.24 EUR
100+3.05 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH