Produkte > XP8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| XP8081 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP824OLZU200E | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP8260ZU200HAV | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP82C684CJ | XP | PLCC | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP83T03GJB | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP83T03GJB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-251, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP83T03 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP83T03GJB | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 30V 75A TO-251S | auf Bestellung 7972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP83T03GJB | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO251S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-251S Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP850CZT50B | auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP850DEZT80BU | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| XP860ENCZP50C | MOT | BGA | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP860SRZP50C1 | MOTOROLA | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| XP8M000000S412 | TGS | Description: CRYSTAL 8MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Load Capacitance: 12pF Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±30ppm Frequency Tolerance: ±30ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Frequency: 8 MHz | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8M192000S410 | TGS | Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 10pF 2 P Frequency: 8.192 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Load Capacitance: 10pF Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8M192000S412 | TGS | Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 12pF 2 P Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Load Capacitance: 12pF Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency: 8.192 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Part Status: Active | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8M192000S416 | TGS | Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 16pF 2 P Frequency: 8.192 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Load Capacitance: 16pF Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8M192000S418 | TGS | Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 18pF 2 P Frequency: 8.192 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Load Capacitance: 18pF Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8M192000S420 | TGS | Description: CRYSTAL 8.192MHZ 30ppm, 20pF 2 P Frequency: 8.192 MHz ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Operating Mode: Fundamental Frequency Tolerance: ±30ppm Frequency Stability: ±30ppm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: MHz Crystal Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm) Load Capacitance: 20pF Package / Case: 2-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8NA1R2TL | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.75W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: XP8NA1R2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP8NA1R2TL | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V | auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8NA1R2TL | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP8NA1R2TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.75W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: XP8NA1R2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP8NA1R2TL | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL | auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8NA1R2TL | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 80V 300A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 424 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25120 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP8NA2R2CXT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| XP8NA2R2CXT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP8NA2R2C Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP8NA2R2CXT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8NA2R2CXT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9328 pF @ 60 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP8NA2R2CXT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP8NA2R2CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 168 A, 2200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 5W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP8NA2R2C Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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