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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.79 EUR
17+ 1.57 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP9452GGYAGEO XSemiMOSFET N-CH 20V 4A S OT-89
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.79 EUR
33+ 1.6 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.78 EUR
2000+ 0.7 EUR
5000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP9517
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP9518BB/TI
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP9518TI09+
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP952AB
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP9561GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -45 A TO-252
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.15 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.7 EUR
3000+ 1.6 EUR
6000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
XP9561GIXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -17A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP9561GIXSemiMOSFET P-CH -40V -36 A TO-220CFM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 6.37 EUR
100+ 5.12 EUR
500+ 4.21 EUR
1000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
XP9565BGHXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -6.5A SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP9565BGHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.2 EUR
29+ 1.82 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.92 EUR
6000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24
XP9565BGHXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -6.5A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP9565GEMXSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
17+3.17 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.45 EUR
3000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
XP9565GEMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.02 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.92 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.39 EUR
3000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 18
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP9575GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -60V -15 A TO-252
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.48 EUR
10+ 7.1 EUR
25+ 6.71 EUR
100+ 5.75 EUR
250+ 5.41 EUR
500+ 5.1 EUR
1000+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP9M830400S410TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP9M830400S412TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP9M830400S416TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP9M830400S418TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP9M830400S420TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP9RCOASTDescription: COAST - XP9R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 1000lm, 225m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zellen x 2
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 225m
productTraceability: No
Taschenlampe: Handtaschenlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 2 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: -
euEccn: NLR
Lumenpaket: 1000lm
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
Lichtqelle: LED
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)