Produkte > XPW

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100B-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+98.66 EUR
3+93.9 EUR
5+89.06 EUR
10+84.73 EUR
20+81.43 EUR
50+78.47 EUR
100+75.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100B-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module, Bulk
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100K-01LantronixNetworking Development Tools xPico Wi-Fi Device Server Dev Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100K-01LantronixXPW100100B-01/XPW100100S-01 Serial Server Evaluation Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100K-01Lantronix, Inc.Description: XPICO WI-FI LOW POWER EMBEDDED I
Packaging: Box
Frequency: 2.4GHz
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+373.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100S-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module Sample
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100S-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100S-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100100S-01LANTRONIXDescription: LANTRONIX - XPW100100S-01 - Device-Server-Modul, IEEE 802.11 b/g/n, erweiterter Temperaturbereich, RoHS
Modulanwendungsbereiche: M2M, Internet of Things
Modulschnittstelle: SPI
HF-Frequenz: 2.4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100A003-01-BLantronix, Inc.Description: STRIP ANTENNA
Packaging: Box
Accessory Type: Strip Antenna
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW100A003-01-BLantronixAntennas Strip Antenna for xPico WiFi Module
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.56 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.98 EUR
2500+1.93 EUR
5000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
100+2.33 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 4982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.87 EUR
100+2.07 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
65+3.57 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH