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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
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YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
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YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
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YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
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YJQ13N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.22 EUR
15000+ 0.2 EUR
30000+ 0.19 EUR
60000+ 0.18 EUR
120000+ 0.16 EUR
300000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
174+0.41 EUR
240+ 0.3 EUR
320+ 0.22 EUR
339+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 174
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.41 EUR
240+ 0.3 EUR
320+ 0.22 EUR
339+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 174
YJQ2012AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.17 EUR
15000+ 0.16 EUR
30000+ 0.15 EUR
120000+ 0.13 EUR
300000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
YJQ20N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.34 EUR
25000+ 0.32 EUR
50000+ 0.3 EUR
100000+ 0.28 EUR
200000+ 0.25 EUR
500000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ20P03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.37 EUR
25000+ 0.35 EUR
50000+ 0.33 EUR
100000+ 0.3 EUR
200000+ 0.28 EUR
500000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ2301AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.22 EUR
15000+ 0.2 EUR
30000+ 0.19 EUR
60000+ 0.18 EUR
120000+ 0.16 EUR
300000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
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YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
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YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.15 EUR
830+ 0.087 EUR
1025+ 0.07 EUR
1080+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 470
YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
470+0.15 EUR
830+ 0.087 EUR
1025+ 0.07 EUR
1080+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 470
YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
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YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
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YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJQ35N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.46 EUR
25000+ 0.44 EUR
50000+ 0.41 EUR
100000+ 0.38 EUR
200000+ 0.35 EUR
500000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
310+0.23 EUR
340+ 0.21 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 310
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.23 EUR
340+ 0.21 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 310
YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
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YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
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YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
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YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
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YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
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YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
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YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
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YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
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YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
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YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
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YJQ4606AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.3 EUR
25000+ 0.28 EUR
50000+ 0.27 EUR
100000+ 0.25 EUR
200000+ 0.23 EUR
500000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ4666BYANGJIE TECHNOLOGYYJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
677+0.11 EUR
1139+ 0.063 EUR
1205+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 677
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ50N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.45 EUR
25000+ 0.42 EUR
50000+ 0.4 EUR
100000+ 0.37 EUR
200000+ 0.34 EUR
500000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ50P03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.88 EUR
25000+ 0.83 EUR
50000+ 0.79 EUR
100000+ 0.74 EUR
200000+ 0.66 EUR
500000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
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YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
Produkt ist nicht verfügbar
YJQ60N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.72 EUR
25000+ 0.68 EUR
50000+ 0.64 EUR
100000+ 0.6 EUR
200000+ 0.54 EUR
500000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJQD12N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Produkt ist nicht verfügbar
YJQD25N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.46 EUR
25000+ 0.44 EUR
50000+ 0.41 EUR
100000+ 0.38 EUR
200000+ 0.35 EUR
500000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000