Produkte > NTE ELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers NTE ELECTRONICS (1721) > Seite 7 nach 29
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE238 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2380 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2385 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2393 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2395 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2396 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE240 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2403 | NTE Electronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2405 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 4k Mounting: SMD Frequency: 220MHz |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2405 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 4k Mounting: SMD Frequency: 220MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 60W Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 60W Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2415 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2415 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2416 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2416 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2417 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2417 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2419 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE242 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 7...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE242 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Mounting: THT Case: TO220 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 7...80 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2427 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89 Case: SOT89 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 1k Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2427 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89 Case: SOT89 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 1k Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2428 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 50...300 Mounting: SMD |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2428 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE243 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE244 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE244 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE245 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 1k Mounting: THT Kind of package: bulk |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE245 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE245 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 1k Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE246 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE247 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE248 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 750...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE248 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE248 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 750...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE249 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 1k Mounting: THT Kind of package: bulk |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE249 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 16 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE249 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Current gain: 1k Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE25 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Mounting: THT Case: TO237 Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE25 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Mounting: THT Case: TO237 Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2504 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126 Case: TO126 Mounting: THT Frequency: 260MHz Polarisation: bipolar Collector current: 2A Current gain: 800...3200 Type of transistor: NPN Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 1.2W |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2504 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126 Case: TO126 Mounting: THT Frequency: 260MHz Polarisation: bipolar Collector current: 2A Current gain: 800...3200 Type of transistor: NPN Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 1.2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2505 | NTE Electronics | NTE2505 NPN THT transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2506 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126 Frequency: 1.2GHz Power dissipation: 5W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO126 Collector-emitter voltage: 115V Current gain: 35 Collector current: 0.4A Type of transistor: NPN |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2506 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126 Frequency: 1.2GHz Power dissipation: 5W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO126 Collector-emitter voltage: 115V Current gain: 35 Collector current: 0.4A Type of transistor: NPN Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2508 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.3A Power dissipation: 8W Case: TO126 Current gain: 20...320 Mounting: THT Frequency: 400MHz |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2508 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.3A Power dissipation: 8W Case: TO126 Current gain: 20...320 Mounting: THT Frequency: 400MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE251 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 20A Power dissipation: 160W Case: TO3 Current gain: 750...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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![]() |
NTE251 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 20A Power dissipation: 160W Case: TO3 Current gain: 750...18000 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
25+ | 4.65 EUR |
NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
25+ | 10.02 EUR |
NTE238 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2380 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2380 THT N channel transistors
NTE2380 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
25+ | 6.59 EUR |
NTE2385 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2385 THT N channel transistors
NTE2385 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.57 EUR |
11+ | 6.54 EUR |
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.56 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
25+ | 5.31 EUR |
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.56 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
25+ | 5.31 EUR |
NTE2393 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2395 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2395 THT N channel transistors
NTE2395 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
4+ | 17.88 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
25+ | 6.09 EUR |
NTE2396 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2396 THT N channel transistors
NTE2396 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.74 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 6.25 EUR |
NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.18 EUR |
11+ | 6.85 EUR |
12+ | 6.48 EUR |
NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.18 EUR |
11+ | 6.85 EUR |
12+ | 6.48 EUR |
25+ | 6.22 EUR |
NTE240 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE240 PNP THT transistors
NTE240 PNP THT transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
NTE2403 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2405 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE2405 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE241 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.58 EUR |
NTE241 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.58 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
NTE2415 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
NTE2415 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
NTE2416 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
NTE2416 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
NTE2417 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
NTE2417 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
NTE2419 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2419 PNP SMD transistors
NTE2419 PNP SMD transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.58 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
34+ | 2.10 EUR |
NTE242 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 7...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 7...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.77 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
NTE242 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 7...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 7...80
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.77 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
NTE2427 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
32+ | 2.30 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
NTE2427 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.56 EUR |
32+ | 2.30 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
NTE2428 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
NTE2428 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
NTE243 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE244 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE244 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE244 PNP THT Darlington transistors
NTE244 PNP THT Darlington transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.98 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
11+ | 6.71 EUR |
12+ | 6.33 EUR |
NTE245 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
NTE245 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE245 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
NTE246 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTE247 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE248 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
NTE248 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE248 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
NTE249 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
NTE249 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE249 - TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE249 - TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE249 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 1k
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
NTE25 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Mounting: THT
Case: TO237
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Mounting: THT
Case: TO237
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.04 EUR |
NTE25 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Mounting: THT
Case: TO237
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Mounting: THT
Case: TO237
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.04 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
NTE2504 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Current gain: 800...3200
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 1.2W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Current gain: 800...3200
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 1.2W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE2504 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Current gain: 800...3200
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 1.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 2A; 1.2W; TO126
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 260MHz
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Current gain: 800...3200
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 1.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE2505 |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2505 NPN THT transistors
NTE2505 NPN THT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
48+ | 1.49 EUR |
NTE2506 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126
Frequency: 1.2GHz
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO126
Collector-emitter voltage: 115V
Current gain: 35
Collector current: 0.4A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126
Frequency: 1.2GHz
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO126
Collector-emitter voltage: 115V
Current gain: 35
Collector current: 0.4A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.68 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
30+ | 2.40 EUR |
NTE2506 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126
Frequency: 1.2GHz
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO126
Collector-emitter voltage: 115V
Current gain: 35
Collector current: 0.4A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 0.4A; 5W; TO126
Frequency: 1.2GHz
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO126
Collector-emitter voltage: 115V
Current gain: 35
Collector current: 0.4A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.68 EUR |
22+ | 3.32 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
30+ | 2.40 EUR |
NTE2508 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 8W
Case: TO126
Current gain: 20...320
Mounting: THT
Frequency: 400MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 8W
Case: TO126
Current gain: 20...320
Mounting: THT
Frequency: 400MHz
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
NTE2508 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 8W
Case: TO126
Current gain: 20...320
Mounting: THT
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.3A; 8W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 8W
Case: TO126
Current gain: 20...320
Mounting: THT
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
NTE251 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
NTE251 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 750...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |