Produkte > NTE ELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers NTE ELECTRONICS (1613) > Seite 6 nach 27
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTE2329 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3-PBL Current gain: 35...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 25MHz |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2329 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3-PBL Current gain: 35...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 25MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2331 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 60 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3PML Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2332 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Case: TO220 Current gain: 4k Mounting: THT Frequency: 180MHz Kind of transistor: Darlington Power dissipation: 20W Kind of package: bulk |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2332 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Case: TO220 Current gain: 4k Mounting: THT Frequency: 180MHz Kind of transistor: Darlington Power dissipation: 20W Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2333 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 32 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2335 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2337 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2337 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2343 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2344 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2345 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82 Case: SOT82 Frequency: 0.1MHz Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 400 Collector current: 6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2345 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82 Case: SOT82 Frequency: 0.1MHz Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 400 Collector current: 6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2348 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2349 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2349 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE235 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2352 | NTE Electronics | NTE2352 PNP THT Darlington transistors |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2353 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2353 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2355 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2358 | NTE Electronics | NTE2358 PNP THT transistors |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2359 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE236 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180 DC-Stromverstärkung hFE: 180 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung Pd: 18 Verlustleistung: 18 Bauform - Transistor: TO-220AB Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Übergangsfrequenz: 27 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2360 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2360 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2370 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2373 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2373 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE238 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2380 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2385 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2393 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
NTE2395 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2396 | NTE Electronics |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE240 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N Mounting: THT Case: TO202N Type of transistor: PNP Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE240 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N Mounting: THT Case: TO202N Type of transistor: PNP Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2403 | NTE Electronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2405 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 4k Mounting: SMD Frequency: 220MHz |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2405 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 4k Mounting: SMD Frequency: 220MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT Power dissipation: 60W |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT Power dissipation: 60W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2415 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2415 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2416 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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![]() +1 |
NTE2416 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
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NTE2417 | NTE Electronics |
![]() |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
NTE2329 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
NTE2329 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
7+ | 10.21 EUR |
NTE2331 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2332 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: Darlington
Power dissipation: 20W
Kind of package: bulk
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: Darlington
Power dissipation: 20W
Kind of package: bulk
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
NTE2332 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: Darlington
Power dissipation: 20W
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: Darlington
Power dissipation: 20W
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
NTE2333 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2335 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2335 NPN THT Darlington transistors
NTE2335 NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
NTE2337 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
NTE2337 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 8.05 EUR |
25+ | 7.86 EUR |
NTE2343 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2344 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2345 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82
Case: SOT82
Frequency: 0.1MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 400
Collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82
Case: SOT82
Frequency: 0.1MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 400
Collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
NTE2345 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82
Case: SOT82
Frequency: 0.1MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 400
Collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 6A; 60W; SOT82
Case: SOT82
Frequency: 0.1MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 400
Collector current: 6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
NTE2348 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2349 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2349 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2349 NPN THT Darlington transistors
NTE2349 NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 24.14 EUR |
5+ | 15.2 EUR |
NTE235 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE235 NPN THT transistors
NTE235 NPN THT transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
25+ | 6.22 EUR |
NTE2352 |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.45 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
NTE2353 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
NTE2353 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.3 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
25+ | 7.64 EUR |
NTE2355 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2358 |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2358 PNP THT transistors
NTE2358 PNP THT transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
89+ | 0.8 EUR |
NTE2359 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2359 NPN THT transistors
NTE2359 NPN THT transistors
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
NTE236 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2360 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
NTE2360 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
NTE2370 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2370 PNP THT transistors
NTE2370 PNP THT transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.21 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
37+ | 1.93 EUR |
NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.45 EUR |
9+ | 7.97 EUR |
NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.45 EUR |
9+ | 7.97 EUR |
25+ | 7.65 EUR |
NTE2373 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
NTE2373 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
25+ | 7.16 EUR |
NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 4.65 EUR |
NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
25+ | 10.05 EUR |
NTE238 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2380 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2380 THT N channel transistors
NTE2380 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
3+ | 23.84 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
25+ | 6.59 EUR |
NTE2385 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2385 THT N channel transistors
NTE2385 THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.57 EUR |
11+ | 6.54 EUR |
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.39 EUR |
13+ | 5.53 EUR |
14+ | 5.38 EUR |
25+ | 5.33 EUR |
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.39 EUR |
13+ | 5.53 EUR |
14+ | 5.38 EUR |
25+ | 5.33 EUR |
NTE2393 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
NTE2395 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2395 THT N channel transistors
NTE2395 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
4+ | 17.88 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
25+ | 6.09 EUR |
NTE2396 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2396 THT N channel transistors
NTE2396 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.74 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 6.25 EUR |
NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.25 EUR |
NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.25 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 6.22 EUR |
NTE240 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N
Mounting: THT
Case: TO202N
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N
Mounting: THT
Case: TO202N
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
NTE240 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N
Mounting: THT
Case: TO202N
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 10W; TO202N
Mounting: THT
Case: TO202N
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 10W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
NTE2403 |
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Hersteller: NTE Electronics
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
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NTE2405 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE2405 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 4k
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
NTE241 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
NTE241 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 7.15 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
NTE2415 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 35.75 EUR |
NTE2415 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 35.75 EUR |
NTE2416 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.5 EUR |
NTE2416 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.5 EUR |
NTE2417 |
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Hersteller: NTE Electronics
NTE2417 PNP SMD transistors
NTE2417 PNP SMD transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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28+ | 2.56 EUR |
37+ | 1.93 EUR |