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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTE287H NTE287H NTE Electronics nte287_88h.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE287H NTE287H NTE Electronics nte287_88h.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE288 NTE Electronics nte287.pdf NTE288 PNP THT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE288H NTE Electronics NTE288H PNP THT transistors
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE289A NTE289A NTE ELECTRONICS NTEES00365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE29
+1
 		NTE29 NTE Electronics nte29.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE29
+1
 		NTE29 NTE Electronics nte29.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.62 EUR
10+21.59 EUR
25+20.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290 NTE290 NTE ELECTRONICS NTEES00372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290 NTE Electronics nte289.pdf NTE290 PNP THT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
15+4.76 EUR
25+2.86 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2902 NTE2902 NTE Electronics nte2902.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.02 EUR
16+4.50 EUR
17+4.45 EUR
18+4.20 EUR
25+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2902 NTE2902 NTE Electronics nte2902.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.02 EUR
16+4.50 EUR
17+4.45 EUR
18+4.20 EUR
25+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2903 NTE2903 NTE Electronics nte2903.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2903 NTE2903 NTE Electronics nte2903.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2905 NTE2905 NTE Electronics nte2905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.53 EUR
15+4.98 EUR
17+4.39 EUR
18+4.18 EUR
25+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2905 NTE2905 NTE ELECTRONICS 1704884.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2905 NTE2905 NTE Electronics nte2905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.53 EUR
15+4.98 EUR
17+4.39 EUR
18+4.18 EUR
25+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2909 NTE2909 NTE Electronics nte2909.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2909 NTE2909 NTE Electronics nte2909.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290A NTE290A NTE ELECTRONICS NTEES00365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE291 NTE Electronics nte291.pdf NTE291 NPN THT transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
22+3.25 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics nte2912.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics nte2912.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
25+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2913 NTE2913 NTE Electronics nte2913.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2913 NTE2913 NTE Electronics nte2913.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
9+7.95 EUR
25+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2914 NTE2914 NTE Electronics nte2914.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2914 NTE2914 NTE Electronics nte2914.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2916 NTE Electronics NTE2916 THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
25+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2917 NTE2917 NTE Electronics nte2917.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2917 NTE2917 NTE Electronics nte2917.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2919 NTE2919 NTE Electronics nte2919.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2919 NTE2919 NTE Electronics nte2919.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
25+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2920 NTE2920 NTE Electronics nte2920.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2920 NTE2920 NTE Electronics nte2920.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
25+11.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2926 NTE2926 NTE Electronics nte2926.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2926 NTE2926 NTE Electronics nte2926.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2929 NTE2929 NTE Electronics nte2929.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.92 EUR
10+7.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2929 NTE2929 NTE Electronics nte2929.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
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9+8.92 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2939 NTE Electronics NTE2939 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2942 NTE2942 NTE Electronics nte2942.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.39 EUR
24+3.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2942 NTE2942 NTE Electronics nte2942.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
24+3.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2947 NTE2947 NTE Electronics nte2947_47F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2947 NTE2947 NTE Electronics nte2947_47F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2953 NTE Electronics NTE2953 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.59 EUR
8+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2957 NTE2957 NTE Electronics nte2957.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2957 NTE2957 NTE Electronics nte2957.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2967 NTE2967 NTE Electronics nte2967.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2967 NTE2967 NTE Electronics nte2967.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE297 NTE297 NTE Electronics nte297.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE297 NTE297 NTE Electronics nte297.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
23+3.10 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2973 NTE2973 NTE Electronics nte2973.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2973 NTE2973 NTE Electronics nte2973.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
25+15.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2974 NTE2974 NTE Electronics nte2974.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.74 EUR
12+6.21 EUR
13+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2974 NTE2974 NTE Electronics nte2974.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
12+6.21 EUR
13+5.86 EUR
25+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2975 NTE2975 NTE Electronics nte2975.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.62 EUR
15+5.06 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2975 NTE2975 NTE Electronics nte2975.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
15+5.06 EUR
16+4.46 EUR
25+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2984 NTE2984 NTE Electronics nte2984.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2984 NTE2984 NTE Electronics nte2984.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
25+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2986 NTE2986 NTE Electronics nte2986.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2986 NTE2986 NTE Electronics nte2986.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2987 NTE Electronics nte2987.pdf NTE2987 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
21+3.55 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE287H nte287_88h.pdf
NTE287H
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE287H nte287_88h.pdf
NTE287H
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE288 nte287.pdf
Hersteller: NTE Electronics
NTE288 PNP THT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
14+5.11 EUR
25+2.86 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE288H
Hersteller: NTE Electronics
NTE288H PNP THT transistors
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE289A NTEES00365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTE289A
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE29 nte29.pdf
NTE29
+1
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE29 nte29.pdf
NTE29
+1
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.62 EUR
10+21.59 EUR
25+20.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290 NTEES00372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTE290
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290 nte289.pdf
Hersteller: NTE Electronics
NTE290 PNP THT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2902 nte2902.pdf
NTE2902
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTE2902
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2903 nte2903.pdf
NTE2903
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2903 nte2903.pdf
NTE2903
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTE2905
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.53 EUR
15+4.98 EUR
17+4.39 EUR
18+4.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2905 1704884.pdf
NTE2905
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2905 nte2905.pdf
NTE2905
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
13+5.53 EUR
15+4.98 EUR
17+4.39 EUR
18+4.18 EUR
25+4.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2909 nte2909.pdf
NTE2909
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
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Anzahl Preis
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2909 nte2909.pdf
NTE2909
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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Anzahl Preis
18+3.98 EUR
25+2.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE290A NTEES00365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTE290A
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE291 nte291.pdf
Hersteller: NTE Electronics
NTE291 NPN THT transistors
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20+3.58 EUR
22+3.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 nte2912.pdf
NTE2912
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2912 nte2912.pdf
NTE2912
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
25+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2913 nte2913.pdf
NTE2913
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2913 nte2913.pdf
NTE2913
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
9+7.95 EUR
25+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2914 nte2914.pdf
NTE2914
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2914 nte2914.pdf
NTE2914
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2916
Hersteller: NTE Electronics
NTE2916 THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
25+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2917 nte2917.pdf
NTE2917
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2917 nte2917.pdf
NTE2917
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2919 nte2919.pdf
NTE2919
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2919 nte2919.pdf
NTE2919
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
25+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2920 nte2920.pdf
NTE2920
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2920 nte2920.pdf
NTE2920
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
25+11.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2926 nte2926.pdf
NTE2926
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2926 nte2926.pdf
NTE2926
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2929 nte2929.pdf
NTE2929
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.92 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2929 nte2929.pdf
NTE2929
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.92 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
25+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2939
Hersteller: NTE Electronics
NTE2939 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
25+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2942 nte2942.pdf
NTE2942
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
24+3.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2942 nte2942.pdf
NTE2942
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
24+3.03 EUR
27+2.67 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2947 nte2947_47F.pdf
NTE2947
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2947 nte2947_47F.pdf
NTE2947
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2953
Hersteller: NTE Electronics
NTE2953 THT N channel transistors
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.59 EUR
8+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2957 nte2957.pdf
NTE2957
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2957 nte2957.pdf
NTE2957
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2967 nte2967.pdf
NTE2967
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2967 nte2967.pdf
NTE2967
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE297 nte297.pdf
NTE297
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE297 nte297.pdf
NTE297
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
9+7.95 EUR
23+3.10 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2973 nte2973.pdf
NTE2973
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2973 nte2973.pdf
NTE2973
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
25+15.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2974 nte2974.pdf
NTE2974
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
12+6.21 EUR
13+5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2974 nte2974.pdf
NTE2974
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
12+6.21 EUR
13+5.86 EUR
25+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2975 nte2975.pdf
NTE2975
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
15+5.06 EUR
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2975 nte2975.pdf
NTE2975
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
15+5.06 EUR
16+4.46 EUR
25+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2984 nte2984.pdf
NTE2984
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2984 nte2984.pdf
NTE2984
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
25+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2986 nte2986.pdf
NTE2986
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2986 nte2986.pdf
NTE2986
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2987 nte2987.pdf
Hersteller: NTE Electronics
NTE2987 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
21+3.55 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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