Produkte > NTE ELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers NTE ELECTRONICS (1296) > Seite 5 nach 22
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTE213 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 60V; 30A; 170W; TO36 Mounting: THT Case: TO36 Kind of package: bulk Kind of transistor: germanium Type of transistor: PNP Collector current: 30A Power dissipation: 170W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 15...100 Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTE214 | NTE Electronics |
NTE214 NPN THT Darlington transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTE218 | NTE Electronics | NTE218 PNP THT transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE219 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE219 - POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 Verlustleistung: 115 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2.5 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE226 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66 Mounting: THT Case: TO66 Frequency: 700kHz Kind of transistor: germanium Type of transistor: PNP Collector current: 2A Power dissipation: 12W Collector-emitter voltage: 35V Current gain: 50...275 Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE226 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66 Mounting: THT Case: TO66 Frequency: 700kHz Kind of transistor: germanium Type of transistor: PNP Collector current: 2A Power dissipation: 12W Collector-emitter voltage: 35V Current gain: 50...275 Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE226MP | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W Mounting: THT Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP Case: TO66 Frequency: 700kHz Kind of transistor: germanium; matched pair Type of transistor: PNP x2 Collector current: 2A Power dissipation: 12W Quantity in set/package: 2pcs. Collector-emitter voltage: 35V Current gain: 50...275 Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE226MP | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W Mounting: THT Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP Case: TO66 Frequency: 700kHz Kind of transistor: germanium; matched pair Type of transistor: PNP x2 Collector current: 2A Power dissipation: 12W Quantity in set/package: 2pcs. Collector-emitter voltage: 35V Current gain: 50...275 Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2303 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220 Polarisation: bipolar Case: TO220 Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 65W Collector current: 2.5A Collector-emitter voltage: 750V Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2303 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220 Polarisation: bipolar Case: TO220 Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 65W Collector current: 2.5A Collector-emitter voltage: 750V Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2312 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2312 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 60 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2313 | NTE Electronics |
NTE2313 NPN THT transistors |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2319 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2319 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 5 Verlustleistung Pd: 175 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 450 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2319 | NTE Electronics |
NTE2319 NPN THT transistors |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE232 | NTE Electronics |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92 Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.625W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 20000 Frequency: 125MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: PNP Case: TO92 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE232 | NTE Electronics |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92 Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.625W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 20000 Frequency: 125MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: PNP Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2329 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3-PBL Current gain: 35...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 25MHz |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2329 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3-PBL Current gain: 35...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 25MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2331 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 60 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3PML Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2332 | NTE Electronics |
NTE2332 NPN THT Darlington transistors |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2333 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 32 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2335 | NTE Electronics |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3P Collector current: 5A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 80W Current gain: 2000...20000 Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2335 | NTE Electronics |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3P Collector current: 5A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 80W Current gain: 2000...20000 Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2337 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2337 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2343 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2344 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2348 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2349 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2352 | NTE Electronics | NTE2352 PNP THT Darlington transistors |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2353 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2353 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2355 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2358 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2358 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE236 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220ABTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180 DC-Stromverstärkung hFE: 180 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung Pd: 18 Verlustleistung: 18 Bauform - Transistor: TO-220AB Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Übergangsfrequenz: 27 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2360 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2360 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2371 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2371 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2374 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2374 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE238 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2380 | NTE Electronics |
NTE2380 THT N channel transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2388 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2388 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2393 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3PTransistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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NTE2396A | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2396A | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE2397 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTE240 | NTE Electronics |
NTE240 PNP THT transistors |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2403 | NTE Electronics |
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| NTE2405 | NTE Electronics |
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220 Collector current: 4A Current gain: 7...80 Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE241 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220 Collector current: 4A Current gain: 7...80 Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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![]() +1 |
NTE2415 | NTE Electronics |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTE213 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 60V; 30A; 170W; TO36
Mounting: THT
Case: TO36
Kind of package: bulk
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 15...100
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 60V; 30A; 170W; TO36
Mounting: THT
Case: TO36
Kind of package: bulk
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 15...100
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 47.4 EUR |
| 3+ | 45.57 EUR |
| NTE214 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE214 NPN THT Darlington transistors
NTE214 NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 5+ | 14.3 EUR |
| 12+ | 5.96 EUR |
| NTE218 |
Hersteller: NTE Electronics
NTE218 PNP THT transistors
NTE218 PNP THT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 9+ | 7.95 EUR |
| 25+ | 5.65 EUR |
| NTE219 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE219 - POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE219 - POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE226 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66
Mounting: THT
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66
Mounting: THT
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE226 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66
Mounting: THT
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; germanium; 35V; 2A; 12W; TO66
Mounting: THT
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium
Type of transistor: PNP
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 16+ | 4.46 EUR |
| NTE226MP |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium; matched pair
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Quantity in set/package: 2pcs.
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium; matched pair
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Quantity in set/package: 2pcs.
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.54 EUR |
| 8+ | 9.05 EUR |
| 9+ | 8.55 EUR |
| 10+ | 8.37 EUR |
| NTE226MP |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium; matched pair
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Quantity in set/package: 2pcs.
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; matched pair,germanium; 35V; 2A; 12W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: PNP
Case: TO66
Frequency: 700kHz
Kind of transistor: germanium; matched pair
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 2A
Power dissipation: 12W
Quantity in set/package: 2pcs.
Collector-emitter voltage: 35V
Current gain: 50...275
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.54 EUR |
| 8+ | 9.05 EUR |
| 9+ | 8.55 EUR |
| 10+ | 8.37 EUR |
| 25+ | 8.22 EUR |
| NTE2303 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220
Polarisation: bipolar
Case: TO220
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 65W
Collector current: 2.5A
Collector-emitter voltage: 750V
Frequency: 4MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220
Polarisation: bipolar
Case: TO220
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 65W
Collector current: 2.5A
Collector-emitter voltage: 750V
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.15 EUR |
| NTE2303 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220
Polarisation: bipolar
Case: TO220
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 65W
Collector current: 2.5A
Collector-emitter voltage: 750V
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 750V; 2.5A; 65W; TO220
Polarisation: bipolar
Case: TO220
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 65W
Collector current: 2.5A
Collector-emitter voltage: 750V
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.15 EUR |
| NTE2312 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2312 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2312 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2313 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2313 NPN THT transistors
NTE2313 NPN THT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.17 EUR |
| 29+ | 2.46 EUR |
| NTE2319 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2319 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 175
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 450
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2319 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 175
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 450
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2319 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2319 NPN THT transistors
NTE2319 NPN THT transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 6+ | 11.91 EUR |
| 25+ | 8.44 EUR |
| NTE232 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.625W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20000
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.625W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20000
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.91 EUR |
| NTE232 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.625W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20000
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.625W; TO92
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.625W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20000
Frequency: 125MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.91 EUR |
| NTE2329 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| NTE2329 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 7+ | 10.21 EUR |
| NTE2331 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2332 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2332 NPN THT Darlington transistors
NTE2332 NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 47+ | 1.54 EUR |
| 49+ | 1.49 EUR |
| NTE2333 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2335 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE2335 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE2337 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| NTE2337 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| 6+ | 11.91 EUR |
| 10+ | 8.08 EUR |
| 25+ | 7.89 EUR |
| NTE2343 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2344 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2348 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2349 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2352 |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.51 EUR |
| 18+ | 3.98 EUR |
| NTE2353 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| NTE2353 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 6+ | 11.91 EUR |
| 25+ | 7.69 EUR |
| NTE2355 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2358 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.13 EUR |
| NTE2358 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.13 EUR |
| NTE236 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2360 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 71+ | 1.02 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| NTE2360 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 63+ | 1.14 EUR |
| 71+ | 1.02 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.52 EUR |
| 9+ | 8.01 EUR |
| NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 10.52 EUR |
| 9+ | 8.01 EUR |
| 25+ | 7.71 EUR |
| NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| 5+ | 14.3 EUR |
| 25+ | 10.08 EUR |
| NTE238 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2380 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2380 THT N channel transistors
NTE2380 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 9+ | 7.95 EUR |
| 25+ | 5.16 EUR |
| NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.44 EUR |
| 13+ | 5.55 EUR |
| 14+ | 5.41 EUR |
| 25+ | 5.35 EUR |
| NTE2388 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.44 EUR |
| 13+ | 5.55 EUR |
| 14+ | 5.41 EUR |
| 25+ | 5.35 EUR |
| NTE2393 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.25 EUR |
| NTE2396A |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 3.25 EUR |
| NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.91 EUR |
| NTE2397 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 11.91 EUR |
| NTE240 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE240 PNP THT transistors
NTE240 PNP THT transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 4+ | 17.88 EUR |
| 9+ | 7.95 EUR |
| NTE2403 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE2405 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.39 EUR |
| NTE241 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 8.94 EUR |
| NTE241 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 8.94 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| NTE2415 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |


























