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NTE386
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NTE386 NTE Electronics

nte386.pdf Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 20A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 20A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Current gain: 10...60
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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Technische Details NTE386 NTE Electronics

Description: TRANS NPN 500V 20A TO3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V, Power - Max: 175 W.

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 		NTE386 Hersteller : NTE Electronics nte386.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 20A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 20A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Current gain: 10...60
Mounting: THT
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NTE386 NTE386 Hersteller : NTE Electronics, Inc nte386.pdf Description: TRANS NPN 500V 20A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 175 W
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+35.89 EUR
10+34.09 EUR
20+32.3 EUR
50+30.5 EUR
100+29.78 EUR
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NTE386 NTE386 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte386.pdf Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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