NTE386 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 500V 20A TO3
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.71 EUR |
| 10+ | 40.57 EUR |
| 20+ | 38.44 EUR |
| 50+ | 36.3 EUR |
| 100+ | 35.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTE386 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 500V 20A TO3, Power - Max: 175 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag.
Weitere Produktangebote NTE386
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
NTE386 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 150 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
NTE386 | NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTE386 |
![]() |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTE386 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



