| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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Запобіжник PESD12VL1BA NXP | NXP | SOD323 (SC-76) Vrwm=12V Ipp=18A V(CL)R =26V Ppp=500W Запобіжники |
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Запобіжник PESD1CAN,215 NXP | NXP | ESD Suppressors / TVS Diodes PESD1CAN/SOT23/TO-236AB Запобіжники |
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Запобіжник PESD3V3U1UA,115 NXP | NXP | Супресор ESD TVS DIODE 3,3VWM Vbd=5.6V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники |
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Запобіжник PESD5V0F1BL NXP | NXP | TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOD882 Запобіжники |
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Запобіжник PESD5V0U1UA,115 NXP | NXP | Супресор ESD TVS DIODE 5,0VWM Vbd=6.8V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники |
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Запобіжник PESD5V2S2UT.215 NXP | NXP | TVS Diode Arrays 5V QUAD ESD PROTECT ULTRA LOW CAP Запобіжники |
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Датчик прискорення KMI15/1/V3PX NXP | NXP | Датчик швидк. обертання SOT453B Vcc = 12V, Icc = (7 ... 14) mA Датчики прискорення |
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Датчик тиску MPL3115A2 NXP | NXP | Цифровий датчик абсолютного тиску - LGA-8 - I2C - 2-3.6 В - 20 KPa to 110 Kpa точність +/- 0.4 Kpa Датчики тиску |
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Датчик тиску MPX4115AP NXP | NXP | Датчик абсолютного тиску SIP6 15 ~ 115 кПа 0,2 ~ 4,8 В Датчики тиску |
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Датчик тиску MPXV5004DP NXP | NXP | Датчик тиску, діапазон 0…3,92 кПа, диференційний Датчики тиску |
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Датчик тиску MPXV5050DP NXP | NXP | Датчик тиску диф. 0…50 кПа (0…10 kPa), ±2,5%, Uпит 4.,75..5,25 В, DIP-8 Датчики тиску |
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PIN Діод ВЧ BAP64-02 NXP | NXP | PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH BAP64-02.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAP64-04,215 NXP | NXP | PIN Diode (two series) SOT-23 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,4 nH BAP64-04.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BA591,115 NXP | NXP | PIN Diode SOD-323 VHF, Vr=35 Vdc, If=100 mA, Rs=0,5 Ohm BA591,115.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAP50-04W,115 NXP | NXP | PIN Diode (two series) SOT-323 RF up to 3GHz, Vr=50 Vdc, If=50 mA, Ls=1,6 nH BAP50-04W,115.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAP64-03 NXP | NXP | PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH BAP64-03.pdf Діоди ВЧ |
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Діод ВЧ BA891 NXP | NXP | SOD523 Band-switching diode Vr=35 V, If=100 mA, Pt=0,715 W, Ct=1,05 pF, Rs=0,7 Ohm, Ls=0,6 nH BA891.pdf Діоди ВЧ |
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RF Amplifier A3M40PD012T7 NXP | NXP | ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема RF AFT05MS006NT1 NXP | NXP | RF Power LDMOS Transistor PLD-1.5W 136-941 MHz 6 W 18,3 dB Vs=7,5 V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I08H040NR1 NXP | NXP | RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V A2I08H040NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ AFT05MS004NT1 NXP | NXP | RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V AFT05MS004NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2712,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm BGA2712,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2802,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=5,1dB, P1dB=7dBm BGA2802,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2817,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,1dB, Nf=3,9dB, P1dB=5dBm Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2851,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB BGA2851,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2866,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB BGA2866,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2869,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB BGA2869,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC2240NBR1 NXP | NXP | ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 2000-2200 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2240NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC915NT1 NXP | NXP | ІМС PQFN-24 (8x8mm) RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 900 MHz, 15 W, 28 V MW7IC915NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема BGA2818,115 NXP | NXP | ІМС SOT-363 підсилювач DC-2,2GHz, Gain=30dB, Nf=3,3dB, P1dB=4dBm, Vs=3-3,6V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I25D025NR1 NXP | NXP | RF Power LDMOS Transistor 2100-2900 MHz 3,2 W, Vs=28 V A2I25D025NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ AFT09MS031NR1 NXP | NXP | RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ 13.6V AFT09MS031NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA3015 NXP | NXP | IC MMIC AMP HI EFF 1.5V SOT89 BGA3015.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP | NXP | ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU7003W,115 NXP | NXP | RF Amplifier Wideband silicon low noise amp MMIC BGU7003W,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU7258X NXP NXP | NXP | ІМС 6-HXSON RF Amplifier low-noise with bypass, 5-6 GHz, Nf=1,6 dB, Vs=3-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU8051X NXP NXP | NXP | ІМС ВЧ WFDFN-8 RF LNA 0,3-1,5 GHz, Nf=0,43dB BGU8051X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU8052X NXP | NXP | ІМС ВЧ WFDFN RF LNA 1.5-2.5GHz, Nf=0,5dB BGU8052X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MMG20241HT1 NXP | NXP | ІМС ВЧ SOT-89 MMIC Driver Amplifier 450-3800 MHz, Gss=17,8 dB, P1dB=24 dBm@2655 MHz, Nf=2,1 dB, Vd=5 V, Id=78 mA MMG20241HT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC008NT1 NXP NXP | NXP | ІМС QFN-28 RF Power Amplifier 0,1-1 GHz, Gain=23,5 dB, P=5 W @ 900 MHz, Vs=24-32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC2040NBR1 NXP | NXP | ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 1805-1990 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2040NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC930GNR1 NXP | NXP | ІМС TO--270 WB--16 GULL RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930GNR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC930NBR1 NXP | NXP | ІМС TO-272 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ SA612AD NXP | NXP | ІМС SO8 Low-power VHF monolithic double-balanced mixer Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Транзистор AFT31150NR5 NXP | NXP | RF Power LDMOS Transistor 2700-3100 MHz 150 W, 17 dB AFT31150NR5.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG135 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 f=7GHz; Pdmax=1W BFG135.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG35 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=18V; Ic=0,15A; f=4GHz; Pdmax=1W; hfe=70 BFG35.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG540,215 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFR540.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG540/X NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFG540_X.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG541 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,65W; hfe=60/250 BFG541.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG67,215 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 (то же что и BFG67/X только др. разводка контактов) BFG67,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG67/X,215 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 BFG67_X,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG97,115 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,1A; f=5,5GHz; Pdmax=1W; hfe=80 BFG97,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92A NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR93A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92AW NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR92AW.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS17A,215 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=2,8GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFS17A,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS520 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN RF SOT-323 Uceo=15V; Ic=0,07A; f=9GHz; Pdmax=0,3W; hfe=120(min60/max250) BFS520.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS540,115 NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; Pdmax=0,5W; hfe=120(min100/max250) BFS540,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFU520WX NXP | NXP | RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 BFU520WX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFU590GX NXP | NXP | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130 BFU590GX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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| Запобіжник PESD12VL1BA NXP |
Hersteller: NXP
SOD323 (SC-76) Vrwm=12V Ipp=18A V(CL)R =26V Ppp=500W Запобіжники
SOD323 (SC-76) Vrwm=12V Ipp=18A V(CL)R =26V Ppp=500W Запобіжники
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Запобіжник PESD1CAN,215 NXP |
Hersteller: NXP
ESD Suppressors / TVS Diodes PESD1CAN/SOT23/TO-236AB Запобіжники
ESD Suppressors / TVS Diodes PESD1CAN/SOT23/TO-236AB Запобіжники
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Stück im Wert von UAH
| Запобіжник PESD3V3U1UA,115 NXP |
Hersteller: NXP
Супресор ESD TVS DIODE 3,3VWM Vbd=5.6V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники
Супресор ESD TVS DIODE 3,3VWM Vbd=5.6V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники
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Stück im Wert von UAH
| Запобіжник PESD5V0F1BL NXP |
Hersteller: NXP
TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOD882 Запобіжники
TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOD882 Запобіжники
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Stück im Wert von UAH
| Запобіжник PESD5V0U1UA,115 NXP |
Hersteller: NXP
Супресор ESD TVS DIODE 5,0VWM Vbd=6.8V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники
Супресор ESD TVS DIODE 5,0VWM Vbd=6.8V SOD-323-2 Unidirectional Запобіжники
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Stück im Wert von UAH
| Запобіжник PESD5V2S2UT.215 NXP |
Hersteller: NXP
TVS Diode Arrays 5V QUAD ESD PROTECT ULTRA LOW CAP Запобіжники
TVS Diode Arrays 5V QUAD ESD PROTECT ULTRA LOW CAP Запобіжники
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| Датчик прискорення KMI15/1/V3PX NXP |
Hersteller: NXP
Датчик швидк. обертання SOT453B Vcc = 12V, Icc = (7 ... 14) mA Датчики прискорення
Датчик швидк. обертання SOT453B Vcc = 12V, Icc = (7 ... 14) mA Датчики прискорення
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Stück im Wert von UAH
| Датчик тиску MPL3115A2 NXP |
Hersteller: NXP
Цифровий датчик абсолютного тиску - LGA-8 - I2C - 2-3.6 В - 20 KPa to 110 Kpa точність +/- 0.4 Kpa Датчики тиску
Цифровий датчик абсолютного тиску - LGA-8 - I2C - 2-3.6 В - 20 KPa to 110 Kpa точність +/- 0.4 Kpa Датчики тиску
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| Датчик тиску MPX4115AP NXP |
Hersteller: NXP
Датчик абсолютного тиску SIP6 15 ~ 115 кПа 0,2 ~ 4,8 В Датчики тиску
Датчик абсолютного тиску SIP6 15 ~ 115 кПа 0,2 ~ 4,8 В Датчики тиску
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Датчик тиску MPXV5004DP NXP |
Hersteller: NXP
Датчик тиску, діапазон 0…3,92 кПа, диференційний Датчики тиску
Датчик тиску, діапазон 0…3,92 кПа, диференційний Датчики тиску
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Датчик тиску MPXV5050DP NXP |
Hersteller: NXP
Датчик тиску диф. 0…50 кПа (0…10 kPa), ±2,5%, Uпит 4.,75..5,25 В, DIP-8 Датчики тиску
Датчик тиску диф. 0…50 кПа (0…10 kPa), ±2,5%, Uпит 4.,75..5,25 В, DIP-8 Датчики тиску
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAP64-02 NXP |
Hersteller: NXP
PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH BAP64-02.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SOD-523 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=0,6 nH BAP64-02.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAP64-04,215 NXP |
Hersteller: NXP
PIN Diode (two series) SOT-23 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,4 nH BAP64-04.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode (two series) SOT-23 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,4 nH BAP64-04.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BA591,115 NXP |
Hersteller: NXP
PIN Diode SOD-323 VHF, Vr=35 Vdc, If=100 mA, Rs=0,5 Ohm BA591,115.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SOD-323 VHF, Vr=35 Vdc, If=100 mA, Rs=0,5 Ohm BA591,115.pdf Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAP50-04W,115 NXP |
Hersteller: NXP
PIN Diode (two series) SOT-323 RF up to 3GHz, Vr=50 Vdc, If=50 mA, Ls=1,6 nH BAP50-04W,115.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode (two series) SOT-323 RF up to 3GHz, Vr=50 Vdc, If=50 mA, Ls=1,6 nH BAP50-04W,115.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAP64-03 NXP |
Hersteller: NXP
PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH BAP64-03.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SOD-323 RF up to 3GHz, Vr=175 Vdc, If=100 mA, Ls=1,68 nH BAP64-03.pdf Діоди ВЧ
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| Діод ВЧ BA891 NXP |
Hersteller: NXP
SOD523 Band-switching diode Vr=35 V, If=100 mA, Pt=0,715 W, Ct=1,05 pF, Rs=0,7 Ohm, Ls=0,6 nH BA891.pdf Діоди ВЧ
SOD523 Band-switching diode Vr=35 V, If=100 mA, Pt=0,715 W, Ct=1,05 pF, Rs=0,7 Ohm, Ls=0,6 nH BA891.pdf Діоди ВЧ
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| RF Amplifier A3M40PD012T7 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС HLFLGA-12 (2,2x2,2mm) RF Amplifier 2,3 to 4,2 GHz, P1dB=25 dBm, Gain=33 dB, Vs=3,3 V, Id=0,3 A Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема RF AFT05MS006NT1 NXP |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor PLD-1.5W 136-941 MHz 6 W 18,3 dB Vs=7,5 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Power LDMOS Transistor PLD-1.5W 136-941 MHz 6 W 18,3 dB Vs=7,5 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I08H040NR1 NXP |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V A2I08H040NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V A2I08H040NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ AFT05MS004NT1 NXP |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V AFT05MS004NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V AFT05MS004NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2712,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm BGA2712,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm BGA2712,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2802,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=5,1dB, P1dB=7dBm BGA2802,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=5,1dB, P1dB=7dBm BGA2802,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2817,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,1dB, Nf=3,9dB, P1dB=5dBm Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,1dB, Nf=3,9dB, P1dB=5dBm Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2851,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB BGA2851,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB BGA2851,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2866,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB BGA2866,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB BGA2866,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA2869,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB BGA2869,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 ВЧ Підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB BGA2869,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC2240NBR1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 2000-2200 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2240NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 2000-2200 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2240NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC915NT1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС PQFN-24 (8x8mm) RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 900 MHz, 15 W, 28 V MW7IC915NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС PQFN-24 (8x8mm) RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 900 MHz, 15 W, 28 V MW7IC915NT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема BGA2818,115 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SOT-363 підсилювач DC-2,2GHz, Gain=30dB, Nf=3,3dB, P1dB=4dBm, Vs=3-3,6V Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-363 підсилювач DC-2,2GHz, Gain=30dB, Nf=3,3dB, P1dB=4dBm, Vs=3-3,6V Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I25D025NR1 NXP |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 2100-2900 MHz 3,2 W, Vs=28 V A2I25D025NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Power LDMOS Transistor 2100-2900 MHz 3,2 W, Vs=28 V A2I25D025NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ AFT09MS031NR1 NXP |
Hersteller: NXP
RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ 13.6V AFT09MS031NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ 13.6V AFT09MS031NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA3015 NXP |
Hersteller: NXP
IC MMIC AMP HI EFF 1.5V SOT89 BGA3015.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
IC MMIC AMP HI EFF 1.5V SOT89 BGA3015.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU7003W,115 NXP |
Hersteller: NXP
RF Amplifier Wideband silicon low noise amp MMIC BGU7003W,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Amplifier Wideband silicon low noise amp MMIC BGU7003W,115.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU7258X NXP NXP |
Hersteller: NXP
ІМС 6-HXSON RF Amplifier low-noise with bypass, 5-6 GHz, Nf=1,6 dB, Vs=3-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС 6-HXSON RF Amplifier low-noise with bypass, 5-6 GHz, Nf=1,6 dB, Vs=3-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU8051X NXP NXP |
Hersteller: NXP
ІМС ВЧ WFDFN-8 RF LNA 0,3-1,5 GHz, Nf=0,43dB BGU8051X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС ВЧ WFDFN-8 RF LNA 0,3-1,5 GHz, Nf=0,43dB BGU8051X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGU8052X NXP |
Hersteller: NXP
ІМС ВЧ WFDFN RF LNA 1.5-2.5GHz, Nf=0,5dB BGU8052X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС ВЧ WFDFN RF LNA 1.5-2.5GHz, Nf=0,5dB BGU8052X.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MMG20241HT1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС ВЧ SOT-89 MMIC Driver Amplifier 450-3800 MHz, Gss=17,8 dB, P1dB=24 dBm@2655 MHz, Nf=2,1 dB, Vd=5 V, Id=78 mA MMG20241HT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС ВЧ SOT-89 MMIC Driver Amplifier 450-3800 MHz, Gss=17,8 dB, P1dB=24 dBm@2655 MHz, Nf=2,1 dB, Vd=5 V, Id=78 mA MMG20241HT1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC008NT1 NXP NXP |
Hersteller: NXP
ІМС QFN-28 RF Power Amplifier 0,1-1 GHz, Gain=23,5 dB, P=5 W @ 900 MHz, Vs=24-32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС QFN-28 RF Power Amplifier 0,1-1 GHz, Gain=23,5 dB, P=5 W @ 900 MHz, Vs=24-32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC2040NBR1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 1805-1990 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2040NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС TO-272 WB-16 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 1805-1990 MHz, 4 W, 24-32 V MW7IC2040NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC930GNR1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС TO--270 WB--16 GULL RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930GNR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС TO--270 WB--16 GULL RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930GNR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ MW7IC930NBR1 NXP |
Hersteller: NXP
ІМС TO-272 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС TO-272 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 728-960 MHz, Gps=36,4 dB 28 V MW7IC930NBR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ SA612AD NXP |
Hersteller: NXP
ІМС SO8 Low-power VHF monolithic double-balanced mixer Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SO8 Low-power VHF monolithic double-balanced mixer Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Транзистор AFT31150NR5 NXP |
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 2700-3100 MHz 150 W, 17 dB AFT31150NR5.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
RF Power LDMOS Transistor 2700-3100 MHz 150 W, 17 dB AFT31150NR5.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG135 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 f=7GHz; Pdmax=1W BFG135.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 f=7GHz; Pdmax=1W BFG135.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG35 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=18V; Ic=0,15A; f=4GHz; Pdmax=1W; hfe=70 BFG35.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=18V; Ic=0,15A; f=4GHz; Pdmax=1W; hfe=70 BFG35.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG540,215 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFR540.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFR540.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG540/X NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFG540_X.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143B Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,4W; hfe=60/250 BFG540_X.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG541 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,65W; hfe=60/250 BFG541.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; 21dBm; Pdmax=0,65W; hfe=60/250 BFG541.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG67,215 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 (то же что и BFG67/X только др. разводка контактов) BFG67,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 (то же что и BFG67/X только др. разводка контактов) BFG67,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG67/X,215 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 BFG67_X,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 BFG67_X,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFG97,115 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,1A; f=5,5GHz; Pdmax=1W; hfe=80 BFG97,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=15V; Ic=0,1A; f=5,5GHz; Pdmax=1W; hfe=80 BFG97,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92A NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR93A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR93A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92AW NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR92AW.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFR92AW.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS17A,215 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=2,8GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFS17A,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=2,8GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90 BFS17A,215.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS520 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN RF SOT-323 Uceo=15V; Ic=0,07A; f=9GHz; Pdmax=0,3W; hfe=120(min60/max250) BFS520.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN RF SOT-323 Uceo=15V; Ic=0,07A; f=9GHz; Pdmax=0,3W; hfe=120(min60/max250) BFS520.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS540,115 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; Pdmax=0,5W; hfe=120(min100/max250) BFS540,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,12A; f=9GHz; Pdmax=0,5W; hfe=120(min100/max250) BFS540,115.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFU520WX NXP |
Hersteller: NXP
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 BFU520WX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 BFU520WX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFU590GX NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130 BFU590GX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130 BFU590GX.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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