Транзистор польовий ВЧ/НВЧ ATF-10136 Agilent
Hersteller: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ ATF-10136 Agilent Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA
ATF-10136.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.
Weitere Produktangebote Транзистор польовий ВЧ/НВЧ ATF-10136 Agilent
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ ATF-10136 Agilent | Agilent | Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ ATF-10136 Agilent |
Hersteller: Agilent
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.5 dB; Idss=130 mA ATF-10136.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH