Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree
Hersteller: Cree
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree Cree
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB
CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.

