Produkte > CREE > Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree

Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree



Hersteller: Cree
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree Cree

RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.