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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree

Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree


Hersteller: Cree
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ CG2H40010F Cree Cree

RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.