Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu
Hersteller: Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34%
FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.
Weitere Produktangebote Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu | Fujitsu | Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu |
Hersteller: Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH