Technische Details 1011GN-2200VP Microchip Technology
Description: RF MOSFET HEMT 50V, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Power - Output: 2200W, Gain: 19.4dB, Technology: HEMT, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 300 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| 1011GN-2200VP | Hersteller : Microchip Technology |
 1011GN-2200VP |
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| 1011GN-2200VP | Hersteller : Microchip Technology |
Description: RF MOSFET HEMT 50V Packaging: Bulk Package / Case: Module Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz Power - Output: 2200W Gain: 19.4dB Technology: HEMT Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 300 mA |
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1011GN-2200VP | Hersteller : Microchip Technology |
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V |
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