1011GN-2200VP Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: RF MOSFET HEMT 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Power - Output: 2200W
Gain: 19.4dB
Technology: HEMT
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 300 mA
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Technische Details 1011GN-2200VP Microchip Technology
Description: RF MOSFET HEMT 50V, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Power - Output: 2200W, Gain: 19.4dB, Technology: HEMT, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 300 mA.
Weitere Produktangebote 1011GN-2200VP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1011GN-2200VP | Microchip Technology |
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1011GN-2200VP |
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Hersteller: Microchip Technology
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V
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