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123NQ080 IR

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Technische Details 123NQ080 IR

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67, Packaging: Bulk, Package / Case: D-67 HALF-PAK, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2650pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 120A, Supplier Device Package: D-67 HALF-PAK, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 120 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 80 V.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	123NQ080	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67 Packaging: Bulk Package / Case: D-67 HALF-PAK Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 2650pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 120A Supplier Device Package: D-67 HALF-PAK Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 80 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

123NQ080

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2650pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67 HALF-PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 80 V

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