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1253AY-2R2N=P3

1253AY-2R2N=P3 Murata Electronics

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Hersteller: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 2.2 UH 30%
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Technische Details 1253AY-2R2N=P3 Murata Electronics

Description: MURATA - 1253AY-2R2N=P3 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 4.8 A, Halbgeschirmt, 4 A, DG6028C, Produkthöhe: 2.8, Induktivität: 2.2, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 30%, DC-Widerstand, max.: 0.024, Bauform - Leistungsinduktivität: 6mm x 6mm x 2.8mm, Sättigungsstrom (Isat): 4, RMS-Strom Irms: 4.8, Produktlänge: 6, Produktpalette: DG6028C, Produktbreite: 6, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1253AY-2R2N=P3 1253AY-2R2N=P3 MURATA 2902211.pdf Description: MURATA - 1253AY-2R2N=P3 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 4.8 A, Halbgeschirmt, 4 A, DG6028C
Produkthöhe: 2.8
Induktivität: 2.2
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
DC-Widerstand, max.: 0.024
Bauform - Leistungsinduktivität: 6mm x 6mm x 2.8mm
Sättigungsstrom (Isat): 4
RMS-Strom Irms: 4.8
Produktlänge: 6
Produktpalette: DG6028C
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1253AY-2R2N=P3 1253AY-2R2N=P3 Murata 1253ay2r2n.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 30% 100KHz Ferrite 4.8A 0.02Ohm DCR 2424 T/R
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1253AY-2R2N=P3
Hersteller: MURATA
Description: MURATA - 1253AY-2R2N=P3 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 4.8 A, Halbgeschirmt, 4 A, DG6028C
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Induktivität: 2.2
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
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Bauform - Leistungsinduktivität: 6mm x 6mm x 2.8mm
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RMS-Strom Irms: 4.8
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Produktpalette: DG6028C
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1253AY-2R2N=P3
Hersteller: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 30% 100KHz Ferrite 4.8A 0.02Ohm DCR 2424 T/R
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