| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
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Technische Details 15GN03MA-TL-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3-MCP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-MCP, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Frequency - Transition: 1.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Power - Max: 400mW, Gain: 13dB @ 0.4GHz, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote 15GN03MA-TL-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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15GN03MA-TL-E | ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G |
auf Bestellung 5390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 15GN03MA-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)