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Technische Details 15GN03MA-TL-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3-MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB @ 0.4GHz, Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 1.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Supplier Device Package: 3-MCP, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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15GN03MA-TL-E | ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G |
auf Bestellung 5390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 15GN03MA-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
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