18N20 Goford Semiconductor
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.28 EUR |
| 11+ | 2.08 EUR |
| 50+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
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Technische Details 18N20 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 65.8W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Planar, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 18A, Power dissipation: 65.8W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 18N20 | GOFORD Semiconductor |
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 18N-20 | Spectrum Control | 18N-20 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 18N20 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.67 EUR |
| 18N-20 |
Hersteller: Spectrum Control
18N-20
18N-20
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 147.67 EUR |