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1ED21271S65FXUMA1

1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies

448_1ED21X7X.PDF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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11+1.66 EUR
25+1.5 EUR
100+1.33 EUR
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Technische Details 1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies

Description: 1ED21271S65FXUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: SiC MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V, Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
1ED21271S65FXUMA1 1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies Infineon_1ED21x7x_DataSheet_v01_00_EN.pdf Gate Drivers 650V high-side gate driver
auf Bestellung 2373 Stücke:
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10+1.72 EUR
25+1.56 EUR
100+1.37 EUR
250+1.29 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.2 EUR
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1ED21271S65FXUMA1 Infineon_1ED21x7x_DataSheet_v01_00_EN.pdf
1ED21271S65FXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 650V high-side gate driver
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