1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
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Technische Details 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1ED3127MU12FXUMA1 nach Preis ab 1.53 EUR bis 3.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1ED3127MU12FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Supplier Device Package: PG-DSO-8-72 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
auf Bestellung 5299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1ED3127MU12FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1ED3127MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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1ED3127MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1ED3127MU12FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
auf Bestellung 5299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.9 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 25+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 1ED3127MU12FXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.29 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 25+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.72 EUR |
| 1ED3127MU12FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1ED3127MU12FXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
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Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
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Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
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Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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auf Bestellung 341 Stücke:
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