1ED3142MC12HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.35 EUR |
| 10+ | 2.82 EUR |
| 25+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 2.16 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
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Technische Details 1ED3142MC12HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85412900, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Eingang: Logik, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 40ns, Ausgabeverzögerung: 40ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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1ED3142MC12HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 40ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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