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Technische Details 1EDB9275FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDB9275FXUMA1 - MOSFET-Treiber, isoliert, 3V bis 15V, SOIC-8, -40°C bis 125°C, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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1EDB9275FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - 1EDB9275FXUMA1 - MOSFET-Treiber, isoliert, 3V bis 15V, SOIC-8, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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1EDB9275FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB9275FXUMA1 - MOSFET-Treiber, isoliert, 3V bis 15V, SOIC-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDB9275FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 10V ~ 56V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, SiC MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A DigiKey Programmable: Not Verified |
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1EDB9275FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 10V ~ 56V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8 Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, SiC MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A DigiKey Programmable: Not Verified |
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