| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1010+ | 0.14 EUR |
| 1042+ | 0.13 EUR |
| 1059+ | 0.12 EUR |
| 1093+ | 0.11 EUR |
| 1112+ | 0.1 EUR |
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Technische Details 1EDN7126GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, Bauform - Treiber: VSON, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote 1EDN7126GXTMA1 nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
 High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 7570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS |
auf Bestellung 3418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1EDN7126GXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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1EDN7126GXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V Bauform - Treiber: VSON SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
High-Side T Gate Driver IC
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1042+ | 0.14 EUR |
| 1076+ | 0.13 EUR |
| 1112+ | 0.12 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.46 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
High-Side T Gate Driver IC
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 922+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
High-Side T Gate Driver IC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 922+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 10000+ | 0.47 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 7570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1.02 EUR |
| 25+ | 0.72 EUR |
| 28+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 250+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.82 EUR |
| 25+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 250+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 1EDN7126GXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 1EDN7126GXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)