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1EDN7126UXTSA1

1EDN7126UXTSA1 Infineon Technologies


infineon-ds_1edn71x6u_2.0-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Driver 1.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg T/R
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Technische Details 1EDN7126UXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: TSNP, Eingang: Logik, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ds_1edn71x6u_2.0-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 1.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg T/R
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1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-DS_1EDN71X6U_2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82af846e0182c6ff82134ec0 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
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1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_DS_1EDN71X6U_2_0_DataSheet_v01_00_EN-3106539.pdf Gate Drivers DRIVER IC
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1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 Hersteller : INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 Hersteller : INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
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