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1EDN7146UXTSA1

1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies

infineonds1edn71x6u2.0datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
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Technische Details 1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSNP, Eingang: Logik, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 500mA, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 125ns, Ausgabeverzögerung: 125ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies infineonds1edn71x6u2.0datasheetv0100en.pdf Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies infineonds1edn71x6u2.0datasheetv0100en.pdf Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies Infineon-DS_1EDN71X6U_2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies Infineon-DS_1EDN71X6U_2.0-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82af846e0182c6ff82134ec0 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
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Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
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Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
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Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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