1EDN7511B Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 1.7 EUR |
| 110+ | 1.61 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2500+ | 1.3 EUR |
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Technische Details 1EDN7511B Infineon Technologies
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A; 20V, Type of integrated circuit: driver, Topology: H-bridge, Integrated circuit features: MOSFET, Mounting: SMD, Maximum output current: 4A, Voltage class: 20V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 1EDN7511B | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A; 20V Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge Integrated circuit features: MOSFET Mounting: SMD Maximum output current: 4A Voltage class: 20V |
auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1EDN7511B |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A; 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Maximum output current: 4A
Voltage class: 20V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; MOSFET; 4A; 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Maximum output current: 4A
Voltage class: 20V
auf Bestellung 2930 Stücke:
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