1N1190R GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.90 EUR |
| 10+ | 14.13 EUR |
| 25+ | 13.16 EUR |
| 100+ | 11.81 EUR |
| 300+ | 10.98 EUR |
| 500+ | 10.82 EUR |
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Technische Details 1N1190R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Weitere Produktangebote 1N1190R
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N1190R | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 1N1190R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N1190R | Hersteller : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 35A 2-Pin DO-5 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N1190R | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5 Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |