1N1190R GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.25 EUR |
| 10+ | 12.16 EUR |
| 25+ | 11.92 EUR |
| 100+ | 9.79 EUR |
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Technische Details 1N1190R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N1190R | IR |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1N1190R |
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Hersteller: IR
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