1N3766

1N3766 GeneSiC Semiconductor


1n3765_thru_1n3768r-472570.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 35A Std. Recovery
auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.84 EUR
10+18.74 EUR
50+17.07 EUR
100+15.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 1N3766 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.

Weitere Produktangebote 1N3766

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
1N3766 Hersteller : GeneSiC Semiconductor 1n3765.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH