1N4003G

1N4003G ON Semiconductor


1n4001-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4003G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4003, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED883F9A91C32DCCA18&compId=1N4001G_SER.pdf?ci_sign=70cb3e59aaa7a951875a2b5a93b8e80159216841 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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472+0.15 EUR
731+0.098 EUR
1064+0.067 EUR
1673+0.043 EUR
3732+0.019 EUR
3938+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787B9E30552596745&compId=1N4001-D.PDF?ci_sign=79133378f6429bee6ecfe94d7aad987cabef7b90 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787B9E30552596745&compId=1N4001-D.PDF?ci_sign=79133378f6429bee6ecfe94d7aad987cabef7b90 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
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1N4003G 1N4003G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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1N4003G 1N4003G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Rectifiers 200V 1A Standard
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G_Thru._1N4007-G_RevB-1878640.pdf Rectifiers VR=200V, IO=1A
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1N4003G 1N4003G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifiers 1A, 200V, Standard Recovery Rectifier
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5000+0.074 EUR
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4003
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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