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1N4003G

1N4003G ON Semiconductor

1n4001-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4003G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4003, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
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1N4003G 1N4003G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Anzahl Preis
358+0.2 EUR
481+0.15 EUR
749+0.096 EUR
1095+0.065 EUR
1719+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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1N4003G 1N4003G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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749+0.096 EUR
1095+0.065 EUR
1719+0.042 EUR
5000+0.025 EUR
15000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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1N4003G 1N4003G Hersteller : onsemi 4E7E746FAE4F94F79E3866D32AB8356E246CEC61E77072728CA29E6208D2E976.pdf Rectifiers 200V 1A Standard
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1N4003G 1N4003G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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77+0.23 EUR
139+0.13 EUR
173+0.1 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.063 EUR
2000+0.056 EUR
5000+0.054 EUR
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Rectifiers VR=200V, IO=1A
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9+0.32 EUR
13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.072 EUR
2500+0.063 EUR
5000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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1N4003G 1N4003G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifiers 1A, 200V, Standard Recovery Rectifier
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10+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.095 EUR
2500+0.083 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4003
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 3156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 19000 Stücke:
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1N4003G 1N4003G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 2688 Stücke:
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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1N4003G 1N4003G Hersteller : EIC Semiconductor 1n4001g_7g.pdf Diode 200V 1A 2-Pin DO-41
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1N4003-G 1N4003-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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