1N4149

1N4149

Produktcode: 35474
Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000

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Technische Details 1N4149

Preis 1N4149 ab 0.0039 EUR bis 2.16 EUR

1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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1N4149
Hersteller: CDIL
Material: 1N4149-CDI THT universal diodes
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6897+ 0.01 EUR
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1N4149
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20nA @ 20V
Reverse Recovery Time (trr): 4ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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1N4149
1N4149
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
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160+ 0.28 EUR
290+ 0.15 EUR
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1N4149
1N4149
Hersteller: onsemi / Fairchild
Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
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1N4149
1N4149
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25nA @ 20V
Reverse Recovery Time (trr): 4ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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5000+ 0.047 EUR
10000+ 0.041 EUR
50000+ 0.034 EUR
1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
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1N4149
1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
1n4149jp-d.pdf
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1N4149
1N4149
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4149 - Small Signal Diode, Single, 100 V, 500 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
Diode Case Style: DO-204AH
Product Range: 1N4149 Series
Reverse Recovery Time trr Max: 4
Forward Surge Current Ifsm Max: 4
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100
Operating Temperature Max: 175
Diode Configuration: Single
Automotive Qualification Standard: -
Forward Voltage VF Max: 1
Forward Current If(AV): 500
No. of Pins: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
2300056.pdf
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1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35
wt5-11.pdf
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1N4149
Hersteller: MICROSEMI
DO-35/0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1N4149
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35
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1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20nA @ 20V
Reverse Recovery Time (trr): 4ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Bulk
11580-lds-0239-datasheet
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1N4149
1N4149
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: D-SI 100PRV .01A
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25nA @ 20V
Reverse Recovery Time (trr): 4ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
Packaging: Bag
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Diode Type: Standard
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