1N4149

1N4149

Produktcode: 35474
Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000

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Technische Details 1N4149

Preis 1N4149 ab 0.011 EUR bis 2.73 EUR

1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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1N4149
Hersteller: CDIL
Material: 1N4149-CDI THT universal diodes
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1N4149
1N4149
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
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1000+ 0.066 EUR
2000+ 0.056 EUR
5000+ 0.051 EUR
10000+ 0.044 EUR
1N4149
1N4149
Hersteller: onsemi / Fairchild
Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
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1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
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1N4149
Hersteller: CDIL
Material: 1N4149-CDI THT universal diodes
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1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35
wt5-11.pdf
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1N4149
Hersteller: MICROSEMI
DO-35/0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1N4149
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4149
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
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1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35
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1N4149
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.5A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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1N4149
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20nA @ 20V
Reverse Recovery Time (trr): 4ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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1N4149
1N4149
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: D-SI 100PRV .01A
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
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1N4149
1N4149
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 nA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
11580-lds-0239-datasheet
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