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Technische Details 1N4150
Preis 1N4150 ab 0.0087 EUR bis 0.15 EUR
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1N4150 Hersteller: DIOTEC Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke 
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auf Bestellung 19370 Stücke  Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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 Hersteller: Diotec Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Current - Average Rectified (Io): 300mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V Diode Type: Standard Part Status: Active Packaging: Box Manufacturer: DComponents Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-35 Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 50V Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 4ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
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auf Bestellung 9895 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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1N4150 Hersteller: DC COMPONENTS Material: 1N4150-DC THT universal diodes
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auf Bestellung 85 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N4150 Hersteller: Diotec Semiconductor ; Ur, = 50; Io, = 0,3; If, A = 0,3; , ° = -50...+200; DO-35
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auf Bestellung 140 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4150 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Material: 1N4150-DIO THT universal diodes
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auf Bestellung 9710 Stücke Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: D-SI 50PRV .001A Manufacturer: NTE Electronics, Inc Packaging: Bag Part Status: Active Diode Type: Standard Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V Current - Average Rectified (Io): 200mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6ns Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 50V Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
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auf Bestellung 961 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: ON Semiconductor Rectifier Diode Small Signal Switching 50V 0.4A 6ns 2-Pin DO-35 Bulk
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 Hersteller: Diotec Semiconductor Rectifier Diode Small Signal Switching 50V 0.3A 4ns Automotive 2-Pin DO-35 Ammo
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1N4150 Hersteller: DIOTEC SI-DIODE 0,150A 50V DO35
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1N4150 Hersteller: 1N4150 DIODE ULTRA-FAST 75V DO35
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1N4150 Hersteller: Rectron Rectifier Diode Switching 50V 0.6A 4ns 2-Pin DO-35
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1N4150 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
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 Hersteller: Rectron Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal Diode gls,0.3A,50V
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1N4150 Hersteller: EIC High Speed Switching Diode
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1N4150 Hersteller: Diotec Semiconductor Rectifier Diode Small Signal Switching 50V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 Ammo
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1N4150 Hersteller: Diotec Semiconductor Rectifier Diode Small Signal Switching 50V 0.3A 4ns 2-Pin DO-35 Ammo
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1N4150 Hersteller: EIC High Speed Switching Diode
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1N4150 Hersteller: Microchip Technology Microchip Technology
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1N4150 Hersteller: Microchip Technology Rectifier Diode Switching 50V 0.2A 4ns 2-Pin DO-35 Bag
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: DO-35 Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 50V Reverse Recovery Time (trr): 6ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Current - Average Rectified (Io): 200mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V Diode Type: Standard Part Status: Obsolete Packaging: Bulk
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