1N4150UR-1

1N4150UR-1 MICROCHIP (MICROSEMI)


1N4150UR-1.pdf Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
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Technische Details 1N4150UR-1 MICROCHIP (MICROSEMI)

Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-213AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.

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1N4150UR-1 1N4150UR-1 Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N4150UR-1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
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Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
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1N4150UR-1 1N4150UR-1 Hersteller : Microchip Technology d0008177.pdf Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag
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1N4150UR-1 Hersteller : Microchip Technology 5808-1n4150ur-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
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