
1N4153-1 Microchip Technology
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Anzahl | Preis |
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413+ | 0.36 EUR |
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Technische Details 1N4153-1 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 20 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V.
Weitere Produktangebote 1N4153-1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 20 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N4153-1 | Hersteller : Microchip Technology |
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1N4153-1 | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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