1N457A ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Small Signal Switching 70V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
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Technische Details 1N457A ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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1N457A 1N457A ONSEMI 1n457a-d.pdf 8832-lds-0023-datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 70V; 0.2A; bulk; Ifsm: 4A; DO35
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
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1N457A 1N457A onsemi / Fairchild 1N457A_D-2309472.pdf Small Signal Switching Diodes High Conductance Low Leakage
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1N457A 1N457A onsemi 1n457a-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 60 V
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1N457A 1N457A ON Semiconductor fdll457a-d.pdf Diode Small Signal Switching 70V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
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Hersteller: ONSEMI
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Description: Diode: switching; THT; 70V; 0.2A; bulk; Ifsm: 4A; DO35
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 4A
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Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 60 V
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