1N4608 Microchip Technology


1N460%287%2C8%29.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Bulk
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Technische Details 1N4608 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 400 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-35, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 10 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
1N4608 1N4608 Microchip Technology 1N460%287%2C8%29.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Signal or Computer Diode
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