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1N4935G

1N4935G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4935G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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1N4935G 1N4935G onsemi 1n4933-d.pdf Rectifiers 200V 1A Fast
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1N4935G 1N4935G onsemi 1n4933-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 2317 Stücke:
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77+0.27 EUR
112+0.19 EUR
148+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
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1N4935G 1N4935G ONSEMI 168219.pdf Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2233 Stücke:
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800+0.31 EUR
1177+0.2 EUR
1283+0.17 EUR
1755+0.12 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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1N4935G 1N4935G TAIWAN SEMICONDUCTOR 1n4933-d.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1690+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
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1N4935G 1N4935G EIC 1n4933g-37g.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41
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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 23000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2326+0.076 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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1N4935G
Hersteller: onsemi
Rectifiers 200V 1A Fast
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AnzahlPrivatkunde
16+0.21 EUR
24+0.14 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.071 EUR
2000+0.069 EUR
10000+0.061 EUR
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1N4935G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
112+0.19 EUR
148+0.14 EUR
500+0.11 EUR
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2000+0.082 EUR
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1N4935G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
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Diodenkonfiguration: Single
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Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2233 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1177+0.2 EUR
1283+0.17 EUR
1755+0.12 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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1N4935G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1N4935G
Hersteller: EIC
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41
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