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1N4935G

1N4935G ON Semiconductor

1n4933-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4935G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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1N4935G 1N4935G Hersteller : onsemi 1n4933-d.pdf Rectifiers 200V 1A Fast
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1N4935G 1N4935G Hersteller : onsemi 1n4933-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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1N4935G 1N4935G Hersteller : EIC 1n4933g-37g.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41
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1N4935G 1N4935G Hersteller : ONSEMI 168219.pdf Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
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1N4935G 1N4935G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4935G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1N4935G 1n4933-d.pdf
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1N4935G 1N4935G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4933-d.pdf Rectifiers 200ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
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1N4935G 1N4935G Hersteller : ON Semiconductor 1n4933-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 300ns 2-Pin DO-41 Bag
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1N4935G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4935G 1N4935G Hersteller : ON Semiconductor 1n4933-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4935G 1N4935G Hersteller : ON Semiconductor 1n4933-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4935G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
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