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1N4935RLG

1N4935RLG ON Semiconductor

1n4933-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details 1N4935RLG ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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1N4935RLG 1N4935RLG Hersteller : ON Semiconductor 1n4933-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4935RLG 1N4935RLG Hersteller : onsemi 1n4933-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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