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1N5062TAP

1N5062TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n5059.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details 1N5062TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V.

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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay 1n5059.pdf Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
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503+0.27 EUR
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay 1n5059.pdf Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay 1n5059.pdf Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay Semiconductors 1n5059.pdf Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5059.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBE433621DD28143&compId=1n5059_62.pdf?ci_sign=35f6f7e5bbdbe2ca5861d45ad8c9c159ce01c393 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBE433621DD28143&compId=1n5059_62.pdf?ci_sign=35f6f7e5bbdbe2ca5861d45ad8c9c159ce01c393 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.1mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4µs
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay 1n5059.pdf Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 Ammo
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1N5062TAP 1N5062TAP Hersteller : Vishay 1n5059.pdf Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo
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