
1N5235B ON Semiconductor
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Technische Details 1N5235B ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5235B - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N52xxB, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Zener-Spannung, nom.: 6.8V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 1N5235B nach Preis ab 0.026 EUR bis 5.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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1N5235B Produktcode: 37347
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![]() Gehäuse: DO-35 Ustab.,V: 6,8 Pmax: 0,5 Монтаж: THT |
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1N5235B | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5235B | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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1N5235B | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V |
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1N5235B | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5235B | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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1N5235B | Hersteller : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 6.8V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - |
auf Bestellung 8086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5235B |
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1N5235B | Hersteller : EIC Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5235B | Hersteller : EIC Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : Microchip Technology |
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1N5235B | Hersteller : Rectron |
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1N5235B | Hersteller : Rectron |
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1N5235B | Hersteller : ON Semiconductor |
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1N5235B | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Zener; 0.5W; 6.8V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 6.8V Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3µA Manufacturer series: 1N52xxB Kind of package: bulk |
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